[发明专利]一种场致发射显示器下基板结构的制作方法无效
申请号: | 200910022832.2 | 申请日: | 2009-06-04 |
公开(公告)号: | CN101567287A | 公开(公告)日: | 2009-10-28 |
发明(设计)人: | 赵莉 | 申请(专利权)人: | 彩虹集团公司 |
主分类号: | H01J9/00 | 分类号: | H01J9/00;H01J9/02 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 | 代理人: | 陆万寿 |
地址: | 71202*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 发射 显示器 板结 制作方法 | ||
一、技术领域
本发明涉及一种场致发射显示器,具体涉及一种场致发射显示器下基板结构的制作方法。
二、背景技术
场致发射显示器件作为新型的显示技术,一些技术瓶颈仍不能得到有效的解决。其中高效的器件结构设计与制作是一个典型的问题。简单的二极结构场致发射显示屏,其制作工艺简单,但一方面阳极需要高压才能给电子足够能量轰击荧光粉实现高亮度,另一方面阳极电极又充当调制电极,连接外围驱动电路又需要低电压,因此存在发光亮度和驱动电压之间的不可调和的矛盾,必须在二极结构的基础上引入栅极结构,由栅极进行电压调制,由阳极控制亮度。
由于控制栅极和阴极之间的距离很近,因此在控制栅极上施加相对比较低的电压,就容易在阴极的顶端形成强大的电场强度。但是这种新型三电极结构又为场致发射显示器的制作带来了新的挑战,为了使控制栅极和阴极电极之间的距离尽可能小的情况下,还要防止两极导通,就对中间的绝缘介质层提出了相当大的要求。在目前的技术下,常见的制作绝缘介质层的方法有丝网印刷法、光刻法和湿刻法。丝网印刷法制作的介质粉层,其厚度等于丝网与衬底之间的间隙,只要保证丝网与衬底的平行度,就能获得比较均匀的粉层,粗糙度在10μm以下,同时,还可以制作图形化的丝网模板,方便地实现绝缘介质的图形化。 光刻法是丝网印刷法搭配掩膜进行曝光显影来实现介质的图形化,其所得图形精度高,线条均匀圆滑,适合大面积介质图形的制作。湿刻法也是丝网印刷法搭配掩膜对绝缘介质进行刻蚀来得到图形化的介质层,不同的是光刻法是利用紫外光进行的,而湿刻法需要一定的药液进行介质层刻蚀,两者同样适合大面积介质图形的制作,精度较高。但是这三种方法制作场发射显示器都存在着弊端:丝网印刷法得到的介质图形精度不高,由于介质浆料流动性较强,经常会造成线条粘结的情况,故不适合大尺寸、高精度面板的制作;光刻法可以实现介质图形和阴极电极图形的一次性曝光显影,但是由于介质浆料的收缩率远大于银浆的收缩率,造成其共同烧结后,阴极电极层向下包住绝缘介质层,与栅极电极层接触形成短路,而且感光介质浆料不耐多次烘烤,不利于多次印刷干燥,其直接后果是介质层过薄而造成高压击穿;湿刻法则由于多做一次掩膜处理,所以存在对位困难及工序复杂的问题,而且阴极电极层在烧结后,脱离绝缘介质层向上卷起,在后续阴极材料处理时容易压断阴极电极的尖端从而造成阴极电极层塌陷短路。现有技术制作的场致发射显示器的绝缘介质层的方法不能满足大型玻璃基板和高清晰面板的制作。
三、发明内容
本发明提供一种场致发射显示器下基板结构的制作方法,以克服现有技术中场致发射显示器的绝缘介质层的方法不能满足大型玻璃基板和高清晰面板的制作的缺点。
为达到上述目的,本发明采用的技术方案为:
一种场致发射显示器下基板结构的制作方法,包括以下操作步骤:
①先在场致发射显示器的下基板1上制得包含有多个平行条状栅极电极组成的栅极电极层2;
②再在栅极电极层2上印刷整面水溶性绝缘介质层3后,对水溶性绝缘介质层3进行干燥后高温烧结;
③在烧结后的水溶性绝缘介质层3上印刷整面感光性绝缘介质层4,烘干;
④然后在感光性绝缘介质层4上印刷整面阴极电极层5,烘干;所述的阴极电极层5材料为感光性银浆;
⑤再利用阴极电极层5的菲林图形模型做掩膜,通过光刻法对整面阴极电极层5和整面感光性绝缘介质层4进行一次性曝光显影,使整面阴极电极层5和整面感光性绝缘介质层4同时形成由多个平行条状阴极电极组成的阴极电极层5和由多个平行条状感光性绝缘介质组成的感光性绝缘介质层4;所述感光性绝缘介质层4图形与阴极电极层5图形相同,且每个条状阴极电极层5重叠在每个条状感光性绝缘介质层4之上;所述光刻后的阴极电极层5与栅极电极层2垂直交叉;
⑥利用步骤⑤得到的光刻后阴极电极层5作为掩膜,对整面水溶性绝缘介质层3进行湿法刻蚀,使水溶性绝缘介质层3形成与阴极电极层5相同图形的水溶性绝缘介质层3;
⑦最后对阴极电极层5和感光性绝缘介质层4进行一次性烧结。
上述的一种场致发射显示器下基板结构的制作方法,所述步骤②中:
对水溶性绝缘介质层3先在110~130℃,常压下,烘干10~15分钟,再在580℃,常压下,烧结20分钟;
所述步骤③中:
烘干是在80~110℃,常压下,烘干10~15分钟;
所述步骤④中:
烘干是在80~110℃,常压下,烘干20~30分钟;
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