[发明专利]一种染料敏化太阳能电池的封装方法无效
| 申请号: | 200910022743.8 | 申请日: | 2009-05-27 |
| 公开(公告)号: | CN101582335A | 公开(公告)日: | 2009-11-18 |
| 发明(设计)人: | 高瑞兴;杨志军;余可 | 申请(专利权)人: | 彩虹集团公司 |
| 主分类号: | H01G9/20 | 分类号: | H01G9/20;H01M14/00;H01L51/48 |
| 代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 | 代理人: | 徐文权 |
| 地址: | 71202*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 染料 太阳能电池 封装 方法 | ||
技术领域
本发明属于太阳能电池领域,涉及一种染料敏化太阳能电池的封装方法。
背景技术
目前,世界上能源紧张,太阳能电池作为一种永不枯竭的能源倍受关注,随着市场需求的发展,太阳能电池的应用领域不断发展。随着太阳能电池的发展,对封装技术的要求也进一步提高,一般封装技术使用的封装树脂容易受到电解质等因素的影响发生氧化而减短太阳能电池的使用寿命,同时封装工艺复杂,且封装精度不高。
发明内容
针对现有封装技术工艺复杂,且封装精度不高,封装树脂容易发生氧化的技术问题,本发明提供一种用于染料敏化太阳能电池的封装方法,包括下述步骤:
1)在铂电极基板上设计有光阳极薄膜块的每一块位置上钻两个封装孔,以使染料敏化太阳能电池进行染料吸附和电解质的灌注;
2)在导电玻璃FTO基板上通过丝网印刷印制银栅,银栅形状为设计的几何图形,然后在马弗炉中进行热处理,从室温经2-3h时间升到450-550℃,并保持温度20-40min,自然缓慢降至室温;
3)通过丝网印刷在银栅上进行低玻粉封装介质层制作,制作成与银栅形状相同的形状,然后马弗炉中进行热处理,从室温经2-3h时间升到450-600℃,并保持温度20-40min,自然缓慢降至室温;
4)同时在铂电极基板上进行低玻粉封装介质层制作,然后在马弗炉中进行热处理,从室温经2-3h时间升到450-600℃,并保持温度20-40min,自然缓慢降至室温,得到铂电极;
5)在导电玻璃FTO基板上进行二氧化钛薄膜层制作,通过丝网印刷把二氧化钛薄膜层制作成与银栅形状相同的形状,然后进行热处理,从室温经1.5-2.5h升到450-550℃,并保持温度25-40min,自然缓慢降至室温,得到光阳极;
6)将步骤4)、5)得到的铂电极和光阳极进行图形对位,然后进行烧结热处理,从室温经2-3h升到450-600℃,并保持温度20-40min,自然缓慢降至室温,得到半成品电池;
7)封装完毕后,使用真空泵通过半成品电池的封装孔进行染料吸附18-36h;
8)使用真空泵通过半成品电池的封装孔进行电解质灌注;
9)通过紫外固化胶对封装孔进行封装,在封装孔上点上紫外固化胶,在100W/cm2的紫外灯条件下照射1min,得到封装好的染料敏化太阳能电池。
步骤2)中所述银栅形状为矩形。
本发明所述的染料敏化太阳能电池是通过低玻粉封装介质在一定温度热处理下对染料敏化太阳能电池进行封装的,同时也对银栅起到了保护作用。
本发明所述的染料敏化太阳能电池封装技术由于使用的热处理的低玻粉封装介质,所以不会像一般封装树脂那样容易受到电解质等因素的影响氧化而减短太阳能电池的使用寿命。
本发明所述的染料敏化太阳能电池封装技术是使用丝网印刷低玻粉,提高了染料敏化太阳能电池封装的精度,简化制作工艺。
附图说明
图1为本发明的太阳能电池的封装结构示意图;
图2为本发明的太阳能电池的封装俯视图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明做进一步详细描述:
实施例1
一种用于染料敏化太阳能电池的封装方法,包括下述步骤:
1)在铂电极基板5上设计有光阳极薄膜块的每一块位置上钻两个封装孔6,见图2,以使染料敏化太阳能电池进行染料吸附和电解质的灌注;
2)在导电玻璃FTO基板1上通过丝网印刷印制银栅2,银栅2形状为矩形,见图1,然后在马弗炉中进行热处理,从室温经3h时间升到450℃,并保持温度40min,自然缓慢降至室温;
3)通过丝网印刷在银栅2上进行低玻粉封装介质层4制作,制作成与银栅2形状相同的形状,然后在马弗炉中进行热处理,从室温经2h时间升到500℃,并保持温度40min,自然缓慢降至室温;
4)同时在铂电极基板5上进行低玻粉封装介质层4制作,然后在马弗炉中进行热处理,从室温经3h时间升到450℃,并保持温度30min,自然缓慢降至室温,得到铂电极;
5)在导电玻璃FTO基板1上进行二氧化钛薄膜层3制作,通过丝网印刷把二氧化钛薄膜层3制作成与银栅2形状相同的形状,然后进行热处理,从室温经2.5h升到550℃,并保持温度25min,自然缓慢降至室温,得到光阳极;
6)将步骤4)、5)得到的铂电极和光阳极进行图形对位,然后进行烧结热处理,从室温经2h升到450℃,并保持温度40min,自然缓慢降至室温,得到半成品电池,见图2;
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