[发明专利]稀土掺杂SiO2基质发光薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 200910022294.7 | 申请日： | 2009-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN101538705A | 公开（公告）日： | 2009-09-23 |
| 发明（设计）人： | 胡晓云;樊君;江东;苗仲海;潘静;张德恺 | 申请（专利权）人： | 西北大学 |
| 主分类号： | C23C20/08 | 分类号： | C23C20/08;C09K11/59 |
| 代理公司： | 西安西达专利代理有限责任公司 | 代理人： | 谢 钢 |
| 地址： | 710069陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 稀土 掺杂 sio sub 基质 发光 薄膜 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种稀土掺杂SiO2基质发光薄膜的制备方法，包括如下步骤：
1)首先将13.4ml正硅酸乙酯、10.5ml无水乙醇，缓慢混合，磁力搅拌30分钟后，得到均匀混合的溶液A；再准确量取10.5ml无水乙醇、2.2ml去离子水、0.7420g硼酸混合搅拌0.5h，得到溶液B；接着将溶液A与B混合搅拌1小时，并用浓盐酸调节pH值为2-3；
2)将上述溶液加入0.1284g硝酸铕和0.0131g硝酸镝搅拌4小时以上，静置陈化48h以上，从而形成溶胶；
3)在清洁干净的硅片上利用旋涂法镀膜，旋涂速度为3kn/min，旋涂时间30秒，在100℃下干燥15min，接着放入马弗炉中退火2小时，退火温度为850℃即可。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C20-00 通过固态覆层化合物抑或覆层形成化合物悬浮液分解且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C20-02 .镀金属材料
C23C20-06 .镀金属材料以外的无机材料
C23C20-08 ..镀化合物、混合物或固溶体，例如硼化物、碳化物、氮化物
C23C20-04 ..镀金属
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C20-00 通过固态覆层化合物抑或覆层形成化合物悬浮液分解且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
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