[发明专利]一种硅单晶生长的热场有效

专利信息
申请号: 200910022095.6 申请日: 2009-04-17
公开(公告)号: CN101525765A 公开(公告)日: 2009-09-09
发明(设计)人: 李留臣;冯金生;井锦英 申请(专利权)人: 江苏华盛天龙机械股份有限公司
主分类号: C30B15/14 分类号: C30B15/14;C30B29/06
代理公司: 西安弘理专利事务所 代理人: 罗 笛
地址: 213200江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 硅单晶 生长
【权利要求书】:

1.一种硅单晶生长的热场,包括工作室(9),工作室(9)侧壁下部设 置有通孔,工作室(9)的顶部设置有进气口,该进气口与外部的气体输送 装置相通,工作室(9)内的底部设置有保温底板(1),工作室(9)内、保 温底板(1)的上表面固接有圆筒形的外保温筒(4),外保温筒(4)侧壁的 下部设置有通孔,外保温筒(4)内、保温底板(1)的上表面还设置有圆筒 形的内保温筒(3),内保温筒(3)的侧壁与外保温筒(4)的侧壁之间留有 间隙(5),外保温筒(4)侧壁下部的通孔内设置有抽气口(2),抽气口(2) 的一端与间隙(5)相通,抽气口(2)的另一端从工作室(9)侧壁下部的 通孔中伸出并与外部的抽气装置相通,工作室(9)的底部竖直设置有电极 (12),电极(12)的上端穿过保温底板(1)伸入内保温筒(3)内并与圆 筒形的加热器(11)固定连接,电极(12)的下端伸出工作室(9)的底部 并与电源相连接,工作室(9)的底部还竖直设置有坩埚杆(15),坩埚杆(15) 的下端伸出工作室(9)的底部,坩埚杆(15)的上端伸入加热器(11)内 并与坩埚(10)固接,坩埚(10)位于加热器(11)内,外保温筒(4)的 顶面设置有保温板(8),保温板(8)上开有通孔,其特征在于,

保温板(8)与内保温筒(3)顶面之间设置有空隙(7),空隙(7)、间 隙(5)和抽气口(2)相通,保温板(8)上固接有中空的倒圆台形的导流 筒(6),导流筒(6)的下端通过保温板(8)上的通孔伸入坩埚(10)内。

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