[发明专利]一种生长硅单晶的热装置无效

专利信息
申请号: 200910022094.1 申请日: 2009-04-17
公开(公告)号: CN101532172A 公开(公告)日: 2009-09-16
发明(设计)人: 李留臣;冯金生;井锦英 申请(专利权)人: 江苏华盛天龙机械股份有限公司
主分类号: C30B15/14 分类号: C30B15/14;C30B29/06
代理公司: 西安弘理专利事务所 代理人: 罗 笛
地址: 213200江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 生长 硅单晶 装置
【权利要求书】:

1.一种生长硅单晶的热装置,其特征在于,包括中空的基座(8),基座(8)内并排设置有移动机构A(7)和移动机构B(9),基座(8)上固接有中空的工作室(1),工作室(1)内设置有固接于工作室(1)底部的保温筒(2),保温筒(2)的顶部设置有保温筒盖(14),保温筒(2)内竖直设置有支撑杆(12),支撑杆(12)的顶部固接有坩埚(3),移动机构A(7)与竖直设置的电极A(5)的下端固定连接,移动机构A(7)与电极A(5)的连接处设置有绝缘套A(6),电极A(5)的上端向上穿过基座(8)顶部伸入保温筒(2)内,并与加热器(4)固接,加热器(4)为环形,位于坩埚(3)与保温筒(2)侧壁之间,环绕坩埚(3)设置,移动机构A(7)通过电极A(5)带动加热器(4)上下移动,移动机构B(9)与竖直设置的电极B(11)的下端固定连接,电极B(11)的上端向上穿过基座(8)顶部伸入保温筒(2)内,并与底部加热器(13)固接,底部加热器(13)位于坩埚(3)的下方,移动机构B(9)通过电极B(11)带动底部加热器(13)上下移动。

2.按照权利要求1所述的热装置,其特征在于,所述的底部加热器(13)的顶部为平板形或锥盘形。

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