[发明专利]低偏移平带电压SiC MOS电容制作方法无效
| 申请号： | 200910022012.3 | 申请日： | 2009-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN101540280A | 公开（公告）日： | 2009-09-23 |
| 发明（设计）人： | 郭辉;张玉明;王德龙;张义门;程萍;张睿;张甲阳 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/265;H01L21/316;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 | 代理人： | 王品华 |
| 地址： | 71007*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 偏移 电压 sic mos 电容 制作方法 | ||
1.一种低偏移平带电压SiC MOS电容制作方法，包括如下步骤：
(1)对N-SiC外延材料进行清洗处理；
(2)在清洗处理后的SiC外延层中，先离子注入能量为2.5～4.8kev，剂量为2.0×1012～3.2×1012cm-2的N+；再离子注入能量为3.5～8.0kev，剂量为1.2×1010～2.2×1010cm-2的Al-；
(3)在离子注入后的外延层上干氧氧化一层厚度为20nm～35nm的SiO2；
(4)在氧化后的样片上，依次完成在Ar气环境中退火、在湿氧环境中湿氧氧化退火和在Ar气环境中的冷处理；
(5)采用化学气相淀积在冷处理后的样片上，先淀积一层35nm～95nm厚的SiO2，再在温度为1000±5℃的Ar气环境中退火20min；
(6)将退火后的SiO2层上，使用光刻版真空溅射Al制作电极，并在温度是400±5℃的Ar气环境中退火30min，完成电容器件制作。
2.根据权利要求1所述的SiC MOS电容制作方法，其中步骤(4)所述的在Ar气环境中退火，其工艺条件是：退火温度为1200±10℃，退火时间为30min。
3.根据权利要求3所述的SiC MOS电容制作方法，其中步骤(4)所述的在湿氧环境中湿氧氧化退火，其工艺条件是：退火温度为950±5℃，退火时间为3h。
4.根据权利要求1所述的SiC MOS电容制作方法，其中步骤(4)所述的在Ar气环境中的冷处理，是按照5℃/min的速率冷却。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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