[发明专利]一种大功率半导体激光器及其制备方法

权利要求书

1.一种大功率半导体激光器，包括铜支撑块(1)、正极铜片(4)、负极铜片(9)和芯片(5)，其特征在于：所述铜支撑块(1)的一边侧面上设有台阶(12)，铜支撑块(1)两端还各设有一个凸台(11)，所述凸台(11)上垂直开设有螺孔(2)，所述芯片(5)的正极面与陶瓷片(3)上侧面的中部焊接，陶瓷片(3)的下侧面贴在铜支撑块(1)的两凸台(11)之间，所述正极铜片(4)和负极铜片(9)的内端分别焊接有正极陶瓷片(7)和负极陶瓷片(6)，所述正极陶瓷片(7)和负极陶瓷片(6)分别焊接在铜支撑块(1)的台阶(12)上，所述芯片(5)的负极贴有铜连接片(8)，所述铜连接片(8)的一端还与正极铜片(4)的一端贴合，所述陶瓷片(3)与负极铜片(9)间采用金丝(10)压焊。

2.根据权利要求1所述的大功率半导体激光器，其特征在于：所述陶瓷片(3)的上下两面均镀有金层，所述金层厚度为2-5微米。

3.根据权利要求1所述的大功率半导体激光器，其特征在于：所述芯片(5)为单管芯片、微型巴条或者由多个单管芯片并联组成。

4.一种权利要求1所述大功率半导体激光器的制备方法，其特征在于，具体包括如下步骤：

1)首先准备铜支撑块(1)、陶瓷片(3)、负极陶瓷片(6)、正极陶瓷片(7)、负极铜片(9)、正极铜片(4)和铜连接片(8)；

2)将陶瓷片(3)用有机溶液和去离子水清洗干净，烘干后在陶瓷片(3)的上下两面镀金，金层厚度为2-5微米，将镀金后的陶瓷片(3)放入氮气柜中储存；

3)利用金锡焊料将芯片(5)的正极贴在镀金的陶瓷片(3)上，其中芯片(5)的发光腔面与陶瓷片(3)的长边侧面平齐，芯片(5)的发光方向与陶瓷片(3)的长边垂直；

4)在正极陶瓷片(7)的一面镀铟膜，负极陶瓷片(6)的一面镀铟膜，铜连接片(8)的一面镀铟膜，将正极铜片(4)和正极陶瓷片(7)镀铟膜的一面焊接在一起，将负极铜片(9)和负极陶瓷片(6)镀铟膜的一面焊接在一起；

5)将焊接好的正极铜片(4)和正极陶瓷片(7)以及焊接好的负极铜片(9)和负极陶瓷片(6)一起焊接在铜支撑块(1)上的台阶上，正极铜片(4)和负极铜片(9)之间保持0.5-1mm的距离，以防短路；

6)将贴有芯片(5)的镀金陶瓷片(3)放置在铜支撑块(1)上的两个凸台(11)之间；

7)将铜连接片(8)镀有铟膜一面的一端贴在芯片(5)的负极上，另一端贴在正极铜片(4)上；

8)用回流焊将陶瓷片(3)、铜支撑块(1)、铜连接片(8)和正极铜片(4)焊接在一起；

9)最后用金丝(10)压焊在陶瓷片(3)和负极铜片(9)的一端，将它们连接在一起，制成大功率半导体激光器。

5.根据权利要求4所述的大功率半导体激光器的制备方法，其特征在于：步骤5)中所述正极陶瓷片(7)和负极陶瓷片(6)与铜支撑块(1)用导电胶粘合。