[发明专利]在光盘表面沉积耐酸碱类金刚石薄膜的装置和方法无效
| 申请号: | 200910011587.5 | 申请日: | 2009-05-15 |
| 公开(公告)号: | CN101560648A | 公开(公告)日: | 2009-10-21 |
| 发明(设计)人: | 刘东平 | 申请(专利权)人: | 大连民族学院光电子技术研究所 |
| 主分类号: | C23C16/26 | 分类号: | C23C16/26;C23C16/50;C23C16/02 |
| 代理公司: | 大连科技专利代理有限责任公司 | 代理人: | 于忠晶 |
| 地址: | 116600辽宁省大*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 光盘 表面 沉积 耐酸 金刚石 薄膜 装置 方法 | ||
技术领域:
本发明涉及光盘表面覆膜方法,特别是光盘表面沉积类金刚石薄膜的方法,另外还涉及覆膜装置。
背景技术:
光盘即高密度光盘(Compact Disc)是近代发展起来不同于磁性载体的光学存储介质,用聚焦的氢离子激光束处理记录介质的方法存储和再生信息,又称激光光盘。光盘的发展历程和纸的发明极大地促进了人类文明的进步,它记载了人类文明的发展史,造就了一批新兴的工业。光盘基板材料是芳香聚碳酸酯,其分子的化学结构为:其结构中含有芳香环和羧基,不具有耐酸碱性。由于是一种典型的聚合有机物,因此硬度低。类金刚石(DLC)薄膜具有高硬度、高化学稳定性、高红外透过性、高耐磨性及低摩擦系数等一系列优异的性能,因而在机械、光学、声学、电子以及磁介质保护等领域有着广泛的应用前景。自上世纪80年代以来,一直是各国镀膜技术领域研究的热点之一。介质阻挡放电(DBD)是一种可以在较高气压范围内产生非平衡等离子体的放电方式。利用介质阻挡放电沉积类金刚石薄膜,是一种新颖的薄膜制备技术。该方法具有放电装置简单、低能耗、耗气量小以及可以在室温下实现多种基地上大面积镀膜等优势。近年来,国内外对DLC薄膜的耐腐蚀性能进行了广泛的研究,但主要集中在DLC薄膜对不锈钢耐腐蚀性能的影响。有关DLC薄膜对玻璃耐腐蚀性能的影响研究较少。对于利用介质阻挡放电等离子体增强化学气相沉积(DBD-PECVD)法在光盘表面沉积类金刚石薄膜,并对薄膜耐耐酸碱测试还未见报到。
发明内容:
本发明的目的是克服上述不足问题,提供一种在光盘上沉积耐酸碱类金刚石薄膜的方法,该方法简单、节能成本低,另外本发明还提供一种在光盘上沉积耐酸碱类金刚石薄膜的装置,结构简单,可实现在绝缘介质上沉积类金刚石薄膜,能耗低。
本实用新型为实现上述目的所采用的技术方案是:在光盘上沉积耐酸碱类金刚石薄膜的方法,利用中低频介质阻挡高压放电,使用小分子碳氢气体,在较低气压条件下,以光盘作为沉积基底,在光盘表面沉积超硬类金刚石薄膜。
所述放电时保持压力在500-1000Pa,放电沉积5-20分钟,薄膜厚度控制在200-600nm左右,沉积结束后,停止放电,将放电室充气,取出光盘。
所述放电沉积前,使用氩气或氦气等稀有气体作为放电气体,清洗光盘表面。
所述清洗光盘表面是放电前将放电室气体排空,使压力保持在3Pa以下,使用3kHz正弦波高压放电电源,在峰值电压为30kV条件下,使用氩气作为放电气体,在氩气压力200Pa条件下放电5分钟,清洗光盘表面,再进行放电沉积。
所述介质采用玻璃或石英等作为绝缘介质。
所述小分子碳氢气体是指CH4、C2H6、C2H4、C2H2等小分子碳氢气体。
本发明在光盘上沉积耐酸碱类金刚石薄膜的装置,放电等离子体腔体为真空密封室,交流正弦波高压连接在高压电极上,高压电极和地电极之间为气体间隙,阻挡放电的绝缘介质分别开有入气口和出气口,入气口与质量流量控制器连接,出气口连接有真空机械泵。
所述气体间隙大小1-10mm。
本发明利用介质阻挡放电等离子体沉积薄膜,具有其独特的优势:如放电方式简单,能耗低,气体流量低,可实现在绝缘介质上沉积。利用原子力显微镜、扫描电子显微镜、傅里叶变换红外光谱、耐酸碱测试等对薄膜性能进行表征,分析薄膜沉积后光盘表面特性。薄膜对于光驱工作读写激光波长在蓝光和红光均具有>90%以上透过性。对于镀膜后的光盘进行读写测试,发现薄膜对于光盘正常工作不产生任何影响。本发明有效的提高光盘表面的化学稳定性和机械性能。镀膜的光盘表面平滑、均匀,经耐盐酸腐蚀试验,没有显示任何破坏的迹象,主要是由于类金刚石薄膜与盐酸不发生化学反应,对光盘起到了保护作用。对未镀膜和镀膜后的光盘同样进行了耐硫酸、王水、硝酸、氢氧化钠、氢氧化钾等测试,均发现未镀膜被这些溶液破坏,而镀膜后的光盘具有很好的耐酸碱特性。
设备成本低;放电室气体间隙小(通常几毫米),气体体积小,气体流量低;能耗低等。
附图说明:
图1为本发明装置纵剖面结构示意图。
图2为沉积在光盘基底上类金刚石薄膜扫面电子显微镜的断面结构图。
图3为薄膜在350-900nm范围内在玻璃表面的光透过性分析图。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大连民族学院光电子技术研究所,未经大连民族学院光电子技术研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910011587.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:线上资金融通管理方法
- 下一篇:一种防尘窗
- 同类专利
- 专利分类
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





