[发明专利]会切磁场约束ICP增强电离的非平衡磁控溅射薄膜沉积装置无效
| 申请号： | 200910010112.4 | 申请日： | 2009-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN101476110A | 公开（公告）日： | 2009-07-08 |
| 发明（设计）人： | 任春生;张家良;王德真;王友年 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 大连理工大学专利中心 | 代理人： | 侯明远 |
| 地址： | 116024辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 磁场 约束 icp 增强 电离 平衡 磁控溅射 薄膜 沉积 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种会切磁场约束ICP增强电离的非平衡磁控溅射薄膜沉积装置，其特征在于：装置主体为一非平衡磁控外加ICP增强电离与会切磁场约束。在非平衡磁控溅射靶与样品台之间加入ICP增强放电，在非平衡磁控溅射靶下方分别加入三圈环状永久磁铁，与非平衡磁控溅射磁场闭合，沿放电室器壁产生一闭合磁场分布。
2.根据权利要求1所述的一种会切磁场约束ICP增强电离的非平衡磁控溅射薄膜沉积装置，其特征在于：在非平衡磁控溅射外磁铁环径向外3.2cm下方3.2cm处加入外加环状第一永磁铁环，表面磁场强度3000Gs，在外加第一永磁铁环下方4.0cm与8.0cm处再分别加入外加第二与第三环状永磁铁，表面磁场强度3000Gs。
3.根据权利要求1所述的一种会切磁场约束ICP增强电离的非平衡磁控溅射薄膜沉积装置，其特征在于：在外加第一与第二永磁铁环之间加入ICP增强放电第一匝射频线圈，在外加第二与第三永磁铁之间加入ICP增强电离的第二匝射频线圈，在外加第三永磁铁之间与下方真空室之间加入ICP增强电离的第三匝射频线圈；射频线圈用铜管做成，内部通水进行水冷。
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