[发明专利]存储器读取方法及存储器有效
| 申请号： | 200910009693.X | 申请日： | 2009-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN101640073A | 公开（公告）日： | 2010-02-03 |
| 发明（设计）人： | 洪俊雄;何信义 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/26 | 分类号： | G11C16/26;G11C16/30 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 存储器 读取 方法 | ||
1.一种存储器读取方法，该存储器包括至少一存储单元，该存储单 元包括一第一半单元及一第二半单元，其特征在于，该存储器读取方法包 括：
施加一第一电压于该存储单元以判断该第一半单元的阈值电压是否 高于一特定值；以及
若该第一半单元的阈值电压高于该特定值，施加一第二电压于该存储 单元以读取该第二半单元所储存的数据，该第二电压高于该第一电压，否 则施加一第三电压于该存储单元以读取该第二半单元所储存的数据，该第 三电压低于该第一电压。
2.根据权利要求1所述的存储器读取方法，其特征在于，该第一电 压、该第二电压及该第三电压是被施加于该存储单元的漏极端。
3.根据权利要求1所述的存储器读取方法，其特征在于，该第一电 压为1.6伏特。
4.根据权利要求1所述的存储器读取方法，其特征在于，该特定值 为4伏特。
5.根据权利要求1所述的存储器读取方法，其特征在于，该第一电 压为不会造成读取扰乱的存储单元的漏极端电压的上限。
6.根据权利要求1所述的存储器读取方法，其特征在于，该第一电 压、该第二电压及该第三电压是被施加于该存储单元所对应的字线。
7.一种存储器，其特征在于，包括：
至少一存储单元，包括一第一半单元及一第二半单元；以及
一偏压电路，用以施加电压于该存储单元；
其中，该偏压电路施加一第一电压于该存储单元以判断该第一半单元 的阈值电压是否高于一特定值，若该第一半单元的阈值电压高于该特定 值，该偏压电路施加一第二电压于该存储单元以读取该第二半单元所储存 的数据，该第二电压高于该第一电压，否则该偏压电路施加一第三电压于 该存储单元以读取该第二半单元所储存的数据，该第三电压低于该第一电 压。
8.根据权利要求7所述的存储器，其特征在于，该第一电压、该第 二电压及该第三电压是被施加于该存储单元的漏极端。
9.根据权利要求7所述的存储器，其特征在于，该第一电压为1.6 伏特。
10.根据权利要求7所述的存储器，其特征在于，该特定值为4伏特。
11.根据权利要求7所述的存储器，其特征在于，该偏压电路包括：
一第一偏压产生器及一第二偏压产生器；
一第一晶体管，该第一晶体管的第一端耦接至一电源，该第一晶体管 的第二端耦接至该存储单元的第一端，该第一晶体管的控制端耦接至该第 一偏压产生器；
一第二晶体管，该第二晶体管的第一端耦接至该存储单元的第一端， 该第二晶体管的第二端耦接至一地电压，该第二晶体管的控制端接收一第 一控制信号；
一第三晶体管，该第三晶体管的第一端耦接至该电源，该第三晶体管 的第二端耦接至该存储单元的第二端，该第三晶体管的控制端耦接至该第 二偏压产生器；以及
一第四晶体管，该第四晶体管的第一端耦接至该存储单元的第二端， 该第四晶体管的第二端耦接至该地电压，该第四晶体管的控制端接收一第 二控制信号。
12.根据权利要求11所述的存储器，其特征在于，该第一偏压产生 器导通该第一晶体管，该第一控制信号截止该第二晶体管，该第二偏压产 生器截止该第三晶体管，该第二控制信号导通该第四晶体管，使得该偏压 电路施加该第一电压于该存储单元的第一端以判断该第一半单元的阈值 电压是否高于该特定值。
13.根据权利要求12所述的存储器，其特征在于，若该第一半单元 的阈值电压高于该特定值，该第一偏压产生器截止该第一晶体管，该第一 控制信号导通该第二晶体管，该第二偏压产生器导通该第三晶体管，该第 二控制信号截止该第四晶体管，使得该偏压电路施加该第二电压于该存储 单元以读取该第二半单元所储存的数据，该第二电压高于该第一电压。
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