[发明专利]半导体器件及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体器件及其制造方法。 

背景技术

为了提高半导体器件的组装密度，采用将称为CSP(chip size package，即芯片尺寸封装)的半导体结构体设置在平面尺寸比该半导体结构体大的底板上的方法。日本特开(专利公开)2004-71998号公报公开了这种半导体器件的构造以及制造方法。在该现有文献所公开的半导体器件中，在半导体结构体周围的底板上设置绝缘层。在半导体结构体以及绝缘层上设置上层绝缘膜。在上层绝缘膜上，将上层布线与半导体结构体的外部连接用电极(柱状电极)连接设置。 

另外，在上述以往的半导体器件的制造方法中，为了将在上层绝缘膜上形成的上层布线与半导体结构体的柱状电极连接，需要在上层绝缘膜上，在与半导体结构体的柱状电极的上表面中央部对应的部分形成开口部。这种情况下，已知技术是通过照射激光束的激光加工来在上层绝缘膜中形成开口部。 

另一方面，目前，当激光束的束径最小为50μm左右时，在上层绝缘膜上形成的开口部直径成为70μm左右。这种情况下，考虑到激光加工精度，需要使半导体结构体的柱状电极的直径为100-120μm。因此，半导体结构体的微细化具有一定的极限，存在无法适应柱状电极个数的增加的问题。 

发明内容

为此，本发明目的在于提供能够进一步实现微细化的半导体器件以及制造方法。 

根据本发明，提供一种半导体器件，包括：半导体结构体6，具有半导体衬底8及在该半导体衬底8上设置的外部连接用电极14a；上部金属层3，具有连接焊盘部2a，该连接焊盘部2a形成有第1开口部5a，该第1开口部5a与上述半导体结构体6的上述外部连接用电极14a对应地形成；绝缘膜1， 设在上述外部连接用电极14a与连接焊盘部2a之间，具有与上述第1开口部5连通并到达上述外部连接用电极14的第2开口部17；连接导体21，经由上述第1开口部5及上述第2开口部17，将外部连接用电极14a和上述上部金属层3进行电连接；以及掩模金属层4，形成在上述连接导体21与上述上部金属层3之间，上述掩模金属层4的一个面与上述上部金属层3接触，上述掩模金属层4的另一个面与上述连接导体21接触，上述连接导体21从上述上部金属层3突出。 

另外，根据本发明，提供一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括以下工序： 

准备半导体结构体6的工序，该半导体结构体6具有半导体衬底8及设在上述半导体衬底8下方的外部连接用电极14a； 

布线形成工序，形成布线2及绝缘膜1，上述布线2设在上述绝缘膜1的下表面，上述布线2具备上部金属层3及掩模金属层4，上述上部金属层3及掩模金属层4具有连接焊盘部2a，该连接焊盘部2a中形成有与半导体结构体6的外部连接用电极14a对应的第1开口部5，上述绝缘膜1设在上述半导体结构体6的下表面，并且上述绝缘膜1具有比上述半导体结构体6的平面尺寸大的平面尺寸； 

导通用开口部形成工序，通过以上述掩模金属层4为掩模照射激光束，从而在与上述半导体结构体6的上述外部连接用电极14a对应的部分的上述绝缘膜1上，形成第2开口部17； 

形成连接导体21的工序，该连接导体21经由上述绝缘膜1的上述第2开口部17，将上述上部金属层3和上述半导体结构体6的上述外部连接用电极14a进行连接。 

发明效果 

根据本发明，在布线的连接焊盘部下表面，形成具有开口部的掩模金属层，在与上述掩模金属层的开口部对应的绝缘膜上，形成用于将开口部布线与外部连接用电极进行连接的导通用开口部，从而能够使外部连接用电极进一步微细化。 

附图说明

图1为本发明第1实施方式的半导体器件的剖视图。 

图2为在图1所示半导体器件的制造方法例中最初准备的构件的剖视 图。 

图3(A)是图2后续工序的剖视图，图3(B)是其俯视图。 

图4为图3后续工序的剖视图。 

图5为图4后续工序的剖视图。 

图6为图5后续工序的剖视图。 

图7为图6后续工序的剖视图。 

图8为图7后续工序的剖视图。 

图9为图8后续工序的剖视图。 

图10为图9后续工序的剖视图。 

图11为图10后续工序的剖视图。 

图12为图11后续工序的剖视图。