[发明专利]基板处理装置及其所使用的基板支撑构件有效
| 申请号: | 200910009604.1 | 申请日: | 2009-01-23 |
| 公开(公告)号: | CN101499418A | 公开(公告)日: | 2009-08-05 |
| 发明(设计)人: | 新居健一郎;滩和成 | 申请(专利权)人: | 大日本网屏制造株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/3213 | 分类号: | H01L21/3213;H01L21/311;H01L21/683 |
| 代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 马少东;徐 恕 |
| 地址: | 日本京都*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 处理 装置 及其 使用 支撑 构件 | ||
1.一种基板处理装置,其特征在于,包括:
基板保持机构,其具有支撑部、延长面以及基板相对面,所述支撑部用 于支撑基板;所述延长面形成为包围该支撑部所支撑的基板的一主面的侧 方,并与该一主面相连;所述基板相对面与所述支撑部所支撑的基板的另一 主面相对;
旋转机构,其使所述基板保持机构旋转;
蚀刻液供给机构,其向所述基板保持机构所保持的基板的所述一主面上 供给蚀刻液;
所述支撑部包括密封构件,所述密封构件配设于所述基板相对面上,且 与基板的所述另一主面的周边区域接触,并将该基板支撑为水平姿势,
基板处理装置还包括减压机构,所述减压机构用于对由所述密封构件支 撑的基板的所述另一主面与所述基板相对面之间的空间进行减压,
所述密封构件设置为,使随着所述空间的减压而变形后的所述密封构件 所支撑的基板的所述一主面高于所述延长面。
2.如权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述基板保持机构具有基板支撑构件和用于支撑所述基板支撑构件的 基座构件,
所述支撑部和所述延长面设置在所述基板支撑构件上,
所述旋转机构包括使所述基座构件与所述基板支撑构件一起旋转的基 座构件旋转机构。
3.如权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述基板保持机构具有基座构件,所述基座构件具有所述支撑部和所述 延长面,
所述旋转机构包括使所述基座构件旋转的基座构件旋转机构。
4.如权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述密封构件设置为,对随着所述空间的减压而变形后的所述密封构件 所支撑的基板实施使用蚀刻液的处理之后的基板的所述一主面比所述延长 面更高。
5.如权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述基板保持机构还包括锥面,所述锥面与所述延长面中的基板的旋转 半径方向的外方相连,并且,越向基板的旋转半径方向的外方变得越低。
6.如权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述蚀刻液供给机构一边扫描通过所述旋转机构旋转的基板的所述一 主面上的整个区域,一边供给蚀刻液。
7.如权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述蚀刻液供给机构不仅在通过所述旋转机构旋转的基板的一主面上 扫描,而且扫描到比该基板的周端位置更靠基板旋转半径外方的位置。
8.一种基板支撑构件,在使用蚀刻液对基板进行处理的基板处理装置 中使用,用于支撑基板,其特征在于,
包括支撑部、延长面以及基板相对面,所述支撑部用于支撑基板,所述 延长面形成为包围该支撑部所支撑的基板的一主面的侧方,并与该一主面相 连,所述基板相对面与所述支撑部所支撑的基板的另一主面相对;
所述支撑部包括密封构件,所述密封构件配设于所述基板相对面上,且 与基板的所述另一主面的周边区域接触,并将该基板支撑为水平姿势,
所述基板支撑构件还包括减压机构,所述减压机构用于对由所述密封构 件支撑的基板的所述另一主面与所述基板相对面之间的空间进行减压,
所述密封构件设置为,使随着所述空间的减压而变形后的所述密封 构件所支撑的基板的所述一主面高于所述延长面。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





