[发明专利]可挠性像素阵列基板与可挠性显示器有效
申请号: | 200910009517.6 | 申请日: | 2009-02-16 |
公开(公告)号: | CN101807582A | 公开(公告)日: | 2010-08-18 |
发明(设计)人: | 王以靓;萧博文;辛哲宏 | 申请(专利权)人: | 元太科技工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L29/06;H01L29/786;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 可挠性 像素 阵列 显示器 | ||
1.一种可挠性像素阵列基板,其特征在于其包括:
一可挠性基底;
至少一第一驱动晶体管,配置于该可挠性基底上且具有一第一电流通 道,该第一电流通道具有第一宽度,该第一电流通道在沿着该第一宽度方 向上受张力作用时,该第一电流通道内的电流增加;
至少一第二驱动晶体管,配置于该可挠性基底上且具有一第二电流通 道,其中该第一电流通道不平行于该第二电流通道,该第二电流通道具有 第二宽度,该第二电流通道在沿着该第二宽度方向上受张力作用时,该第 二电流通道内的电流增加,该第二宽度的延伸方向不平行于该第一宽度的 延伸方向;以及
至少一像素电极,配置于该可挠性基底上,其中该像素电极电性连接 至该第一驱动晶体管,且该像素电极电性连接至该第二驱动晶体管。
2.根据权利要求1所述的可挠性像素阵列基板,其特征在于其的更包 括:
至少一第一扫描线,配置于该可挠性基底上;
至少一第二扫描线,配置于该可挠性基底上;以及
至少一数据线,配置于该可挠性基底上,其中该像素电极藉由该第一 驱动晶体管电性连接至该第一扫描线与该数据线,且该像素电极藉由该第 二驱动晶体管电性连接至该第二扫描线与该数据线。
3.一种可挠性像素阵列基板,其特征在于其包括:
一可挠性基底;
至少一第一驱动晶体管,配置于该可挠性基底上且具有一第一电流通 道,该第一电流通道具有第一宽度,该第一电流通道在沿着该第一宽度方 向上受张力作用时,该第一电流通道内的电流增加;
至少一第一像素电极,配置于该可挠性基底上,其中该第一像素电极 电性连接至该第一驱动晶体管;
至少一第二驱动晶体管,配置于该可挠性基底上且具有一第二电流通 道,其中该第一电流通道不平行于该第二电流通道,该第二电流通道具有 第二宽度,该第二电流通道在沿着该第二宽度方向上受张力作用时,该第 二电流通道内的电流增加,该第二宽度的延伸方向不平行于该第一宽度的 延伸方向;以及
至少一第二像素电极,配置于该可挠性基底上,其中该第二像素电极 电性连接至该第二驱动晶体管。
4.根据权利要求3所述的可挠性像素阵列基板,其特征在于其的更包 括:
至少一第一扫描线,配置于该可挠性基底上;
至少一第二扫描线,配置于该可挠性基底上;以及
至少一数据线,配置于该可挠性基底上,其中该第一像素电极藉由该 第一驱动晶体管电性连接至该第一扫描线与该数据线,且该第二像素电极 藉由该第二驱动晶体管电性连接至该第二扫描线与该数据线。
5.一种可挠性显示器,其特征在于其包括:
一可挠性像素阵列基板,包括:
一可挠性基底;
至少一第一驱动晶体管,配置于该可挠性基底上且具有一第一电流 通道,该第一电流通道具有第一宽度,该第一电流通道在沿着该第一宽度 方向上受张力作用时,该第一电流通道内的电流增加;
至少一第二驱动晶体管,配置于该可挠性基底上且具有一第二电流 通道,其中该第一电流通道不平行于该第二电流通道,该第二电流通道具 有第二宽度,该第二电流通道在沿着该第二宽度方向上受张力作用时,该 第二电流通道内的电流增加,该第二宽度的延伸方向不平行于该第一宽度 的延伸方向;及
至少一像素电极,配置于该可挠性基底上,其中该像素电极电性连 接至该第一驱动晶体管,且该像素电极电性连接至该第二驱动晶体管;
一显示层,配置于该可挠性像素阵列基板上;以及
一共用电极,配置于该显示层上。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于元太科技工业股份有限公司,未经元太科技工业股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910009517.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:多光谱感光器件
- 下一篇:晶片水平芯片级封装及激光标识该封装的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的