[发明专利]单晶硅衬底多结太阳电池无效
| 申请号： | 200910009001.1 | 申请日： | 2009-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN101483202A | 公开（公告）日： | 2009-07-15 |
| 发明（设计）人： | 索拉安吉 | 申请（专利权）人： | 北京索拉安吉清洁能源科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/042 | 分类号： | H01L31/042;H01L31/052 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100032北京市西城*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 单晶硅 衬底 太阳电池 | ||
【权利要求书】：
1、一种具有掺杂阻挡层的多结太阳电池，用于高倍聚光太阳能发电系统，其特征在于：利用掺杂阻挡层有效阻挡隧道结高浓度掺杂的杂质向外扩散。
2、根据权利要求1所述的具有掺杂阻挡层的多结太阳电池，其特征在于：多结太阳电池是指生长在同一衬底上的两结及两结以上的太阳电池。
3、根据权利要求1所述的具有掺杂阻挡层的多结太阳电池，其特征在于：以硅、锗、砷化镓、磷化铟等半导体单晶片为衬底，采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)或分子束外延(MBE)方法生长多结太阳电池晶片。
4、根据权利要求1所述的具有掺杂阻挡层的多结太阳电池，其特征在于：在连接两结电池的隧道结两侧分别生长相同导电性的掺杂阻挡层，阻挡层的晶格常数与隧道结相近，阻挡层的带宽大于阻挡层。
5、根据权利要求1所述的具有掺杂阻挡层的多结太阳电池，其特征在于：采用光刻和镀膜的方法分别在生长好的多结太阳电池晶片的上下表面制备电极。
6、根据权利要求1所述的具有掺杂阻挡层的多结太阳电池，其特征在于：采用光刻和镀膜的方法在生长好的多结太阳电池晶片的外延层表面制备减反射膜。
7、根据权利要求1所述的具有掺杂阻挡层的多结太阳电池，其特征在于：利用划片机将制备好电极和减反射膜的太阳电池晶片划开，制成太阳电池芯片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
