[发明专利]有机EL装置有效
| 申请号: | 200910008689.1 | 申请日: | 2009-02-11 |
| 公开(公告)号: | CN101510555A | 公开(公告)日: | 2009-08-19 |
| 发明(设计)人: | 林建二 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L23/48 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 雒运朴;李 伟 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 有机 el 装置 | ||
1.一种有机EL装置,其特征在于,具有:
形成有多个发光元件的元件区域,所述发光元件含有设置在基体上 的第一电极、设置在所述第一电极的上方的功能层、和设置在所述功能 层的上方的第二电极;
设置在所述基体上的包围构件,其被配置在包围所述元件区域的位 置,对多个所述发光元件中至少最接近所述基体的外周的元件所包含的 功能层的所述外周侧的侧部进行覆盖;和
导电构件,其被配设在所述包围构件的外侧;
所述包围构件具有配置在所述元件区域的最外周的隔壁、和比所述 隔壁靠外侧设置的平坦化层,
与所述导电构件连接并从所述包围构件的外侧跨上所述包围构件 而与所述第二电极连接的连接用导电构件的厚度,大于所述第二电极的 厚度。
2.如权利要求1所述的有机EL装置,其特征在于,
所述隔壁具有外侧部和头顶部,
所述第二电极从所述元件区域遍布所述隔壁的所述头顶部延伸设 置。
3.如权利要求2所述的有机EL装置,其特征在于,
所述连接用导电构件与所述第二电极在所述隔壁的头顶部电连接。
4.如权利要求1所述的有机EL装置,其特征在于,
所述连接用导电构件的厚度比所述第二电极的厚度大。
5.如权利要求2所述的有机EL装置,其特征在于,
所述连接用导电构件的厚度比所述第二电极的厚度大。
6.如权利要求3所述的有机EL装置,其特征在于,
所述连接用导电构件的厚度比所述第二电极的厚度大。
7.如权利要求4所述的有机EL装置,其特征在于,
所述连接用导电构件的厚度为120nm以上,所述第二电极的厚度 为10nm以下。
8.如权利要求5所述的有机EL装置,其特征在于,
所述连接用导电构件的厚度为120nm以上,所述第二电极的厚度 为10nm以下。
9.如权利要求6所述的有机EL装置,其特征在于,
所述连接用导电构件的厚度为120nm以上,所述第二电极的厚度 为10nm以下。
10.如权利要求1~9中任意一项所述的有机EL装置,其特征在 于,
所述包围构件的厚度为1μm以上。
11.如权利要求10所述的有机EL装置,其特征在于,
所述平坦化层与基体表面之间所成的角度为20度以上70度以下。
12.如权利要求10所述的有机EL装置,其特征在于,
所述导电构件以围绕所述隔壁的方式连续形成为带状,
所述连接用导电构件沿着所述包围构件的延伸方向被延伸设置成 带状。
13.如权利要求1~9中任意一项所述的有机EL装置,其特征在 于,
所述连接用导电构件由离子化倾向比所述第二电极的材料小的材 料形成。
14.如权利要求1~9中任意一项所述的有机EL装置,其特征在 于,
所述连接用导电构件由铝形成。
15.如权利要求1~9中任意一项所述的有机EL装置,其特征在 于,
所述第二电极层叠有金属薄膜和透明导电膜而形成。
16.如权利要求1~9中任意一项所述的有机EL装置,其特征在 于,
形成有覆盖所述第二电极及所述连接用导电构件的电极保护层、形 成在所述电极保护层上并对形成所述包围构件的外侧部的面进行覆盖 的有机缓冲层、和覆盖所述有机缓冲层及所述电极保护层的阻气层。
17.如权利要求16所述的有机EL装置,其特征在于,
所述有机缓冲层的端部的接触角度形成为20度以下。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





