[发明专利]决定光学储存装置中光盘写入策略的方法与光学储存装置无效
| 申请号: | 200910008091.2 | 申请日: | 2006-01-13 |
| 公开(公告)号: | CN101494059A | 公开(公告)日: | 2009-07-29 |
| 发明(设计)人: | 游志青 | 申请(专利权)人: | 联发科技股份有限公司 |
| 主分类号: | G11B7/006 | 分类号: | G11B7/006;G11B7/125 |
| 代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 任默闻 |
| 地址: | 台湾省新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 决定 光学 储存 装置 光盘 写入 策略 方法 | ||
1.一种决定光学储存装置中光盘写入策略的方法,其特征在于,该方法包含有:
侦测所述光盘的一特性,其中所述特性为所述光盘的一类别和一写入速度两者的至少一者;
依据所侦测到的光盘的特性,决定一初始写入策略;
通过执行一写入脉冲调整以调整所述初始写入策略,所述写入脉冲调整包含调整所述初始写入策略中一写入脉冲的一第一边缘及紧接于所述第一边缘之后的一第二边缘,以产生一调整后的写入策略;
使用所述调整后的写入策略写入数据到所述光盘上;
当由所述光盘读取所写入的数据时,测量至少一再生信号质量数值;以及
依据所述再生信号质量数值来决定一写入策略。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述写入脉冲调整更包含:经由双循环方式来调整所述第一边缘及所述第二边缘,其中,所述双循环方式是指成双地一并调整。
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述写入脉冲调整更包含:通过下列方程式来调整所述第一边缘及所述第二边缘:
Ttop1=Ttop1_i+Ni*deltaT
Ttop2=Ttop1+A*deltaT+Mi*deltaT
其中,Ttop1为所述第一边缘的时间,Ttop2为所述第二边缘的时间,Ttop1_i是根据所述初始写入策略所预定的一初始值,A是根据所述初始写入策略所预定的一系数,参数Mi与Ni等于任意整数,以及deltaT是一预定的时间单位。
4.一种决定光学储存装置中光盘写入策略的方法,其特征在于,该方法包含有:
侦测所述光盘的一特性,其中所述特性为所述光盘的一类别和一写入速度两者的至少一者;
依据所侦测到的光盘的特性,决定一初始写入策略;
通过执行一写入脉冲调整以调整所述初始写入策略,所述写入脉冲调整包含通过一第一时间单元来调整所述初始写入策略中一写入脉冲的一第一边缘,以产生一调整后的写入策略;
使用所述调整后的写入策略写入数据到所述光盘上;
当由所述光盘读取所写入的数据时,测量至少一再生信号质量数值;以及
依据所述再生信号质量数值来决定一写入策略;
其中,所述写入脉冲调整另包括:
调整所述初始写入策略的一初始脉冲或一最后脉冲;通过固定一中间脉冲的一第一边缘并且调整所述中间脉冲的紧接于所述中间脉冲的所述第一边缘之后的一第二边缘的方式,调整所述初始写入策略的介于所述初始脉冲与所述最后脉冲间的所述中间脉冲;
其中,调整所述初始写入策略的所述初始脉冲或所述最后脉冲包括调整所述初始脉冲或所述最后脉冲的一第一边缘及紧接于所述初始脉冲或所述最后脉冲的所述第一边缘之后的一第二边缘,并经由双循环方式来调整所述初始脉冲或所述最后脉冲的所述第一边缘及所述第二边缘,其中,所述双循环方式是指成双地一并调整。
5.如权利要求4所述的方法,其特征在于,所述写入脉冲调整更包含:通过下列方程式来调整所述第一边缘及所述第二边缘:
Ttop1=Ttop1_i+Ni*deltaT
Ttop2=Ttop1+A*deltaT+Mi*deltaT
其中,Ttop1为所述第一边缘的时间,Ttop2为所述第二边缘的时间,Ttop1_i是根据所述初始写入策略所预定的一初始值,A是根据所述初始写入策略所预定的一系数,参数Mi与Ni等于任意整数,以及deltaT是一预定的时间单位。
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