[发明专利]显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示装置，特别涉及可有效应用于具有移位寄存器电路的显示装置的技术。 

背景技术

例如，将薄膜晶体管(TFT：Thin Film Transistor)用作有源元件的有源矩阵液晶显示装置，在隔着液晶相对配置的基板中的一个基板的液晶侧的面上具有由沿着x方向延伸并沿着y方向排列设置的扫描线和沿着y方向延伸并沿着x方向排列设置的图像线所围成的像素区域。而且，在该像素区域中，具备通过来自扫描线的扫描信号的供给而进行工作的薄膜晶体管(TFT)。 

液晶显示装置具有向各扫描线分别提供扫描信号的扫描线驱动电路以及向各图像线分别提供图像信号的图像线驱动电路，这些驱动电路具备移位寄存器电路。 

另一方面，还公知有由多晶硅形成构成上述有源元件的薄膜晶体管的半导体层的多晶硅型液晶显示装置。在这样的多晶硅型液晶显示装置中，使用同一工序，将构成扫描线驱动电路以及图像线驱动电路的薄膜晶体管(例如MIS晶体管)与构成有源元件的薄膜晶体管形成在上述一个基板面上。 

作为该扫描线驱动电路，具备单通道(n-MOS)移位寄存器电路的液晶显示装置例如记载于下述专利文献1、专利文献2中。 

图9是示出上述专利文献1中所记载的单通道(n-MOS)移位寄存器电路的电路结构的电路图。 

以下，对图9所示的移位寄存器电路的工作进行说明。 

(1)在启动脉冲(ΦIN)为高电平(以下称为H电平)时，晶 体管(NMT3)为导通，由于晶体管(NMT2)的栅极被输入基准电压(VSS)，所以晶体管(NMT2)为截止。由此，节点(N1)经由二极管连接的晶体管(NMT1)成为H电平(严格地说，是VH-Vth)。在此，VH是第一驱动时钟(Φ1)和第二驱动时钟(Φ2)的H电平电压，Vth是晶体管(NMT*)的阈值电压。另外，节点(N1)成为H电平，从而晶体管(NMT7)为导通，由于晶体管(NMT6)的栅极被输入基准电压(VSS)，所以晶体管(NMT6)为截止。然后，启动脉冲(ΦIN)成为低电平(以下称为L电平)。 

(2)接着，如果第二驱动时钟(Φ2)成为H电平，则节点(N2)经由晶体管(NMT4)成为H电平，由此，利用基于电容元件(CB 1)的自举(bootstrap)效果，节点(N1)的电压进一步上升。然后，向节点(N2)输出电压未降低的第二驱动时钟，使其成为移位输出(OUT1)。在此，晶体管(NMT7)维持导通状态，晶体管(NMT6)维持截止状态。 

另外，如果节点(N2)成为H电平，则晶体管(NMT5)为导通，所以节点(N3)也成为H电平(严格地说是VH-Vth)。然后，通过节点(N3)成为H电平，晶体管(NMT11)为导通，由于晶体管(NMT15)的栅极被输入基准电压(VSS)，所以晶体管(NMT15)为截止。 

(3)接着，如果第一驱动时钟(Φ1)成为H电平，则节点(N4)经由晶体管(NMT8)成为H电平，由此，利用基于电容元件(CB2)的自举效果，节点(N3)的电压进一步上升。然后，向节点(N4)输出电压未降低的第一驱动时钟，使其成为移位输出(OUT2)。在此，晶体管(NMT11)维持导通状态，晶体管(NMT15)维持截止状态。 

另外，如果节点(N4)成为H电平，则晶体管(NMT9)为导通，所以节点(N6)也成为H电平(严格地说是VH-Vth)。然后，通过节点(N6)成为H电平，晶体管(NMT16)为导通，由于晶体管(NMT20)的栅极被输入基准电压(VSS)，所以晶体管(NMT20) 为截止。 

另外，如果节点(N4)成为H电平，则晶体管(NMT10)也为导通，所以节点(N5)也成为H电平(严格地说是VH-Vth)。然后，通过节点(N5)成为H电平，晶体管(NMT2)为导通，节点(N1)成为基准电压(VSS)。 

以后，反复进行同样的操作。 

另外，作为与本发明相关的现有技术文献，有以下技术文献。 

专利文献1：日本特开2002-215118号公报 

专利文献2：日本特开2006-10784号公报 

发明内容

在上述专利文献1记载的单通道移位寄存器电路中，为了维持稳定工作，将非选择级的浮动节点(图9的N1、N3、N6、...)连接到偏置电源(VSS)的晶体管(图9的NMT2、NMT6、NMT15、...)的栅极成为浮动存储节点。