[发明专利]有机发光二极管显示器有效
| 申请号: | 200910008034.4 | 申请日: | 2009-02-19 |
| 公开(公告)号: | CN101640215A | 公开(公告)日: | 2010-02-03 |
| 发明(设计)人: | 金恩雅;丁憙星;郑哲宇;李柱华;田熙喆;郑又硕;郭鲁敏;朴顺龙 | 申请(专利权)人: | 三星移动显示器株式会社 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/312 |
| 代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人: | 韩明星;谭昌驰 |
| 地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示器 | ||
技术领域
本发明涉及一种有机发光二极管(OLED)显示器。更具体地讲,本发 明涉及一种可视性提高的OLED显示器。
背景技术
典型的OLED显示器包括OLED,每个OLED具有空穴注入电极、有机 发射层和电子注入电极。在电子和空穴的结合产生激子之后,有机发射层使 用当激子从激发态降至基态时所产生的能量来发光。OLED显示器使用有机 发射层发射的光形成图像。
与液晶显示器(LCD)不同,OLED显示器具有自发射特性,并且不需 要额外的光源。因此,可以减小显示器的厚度和重量。另外,因为OLED显 示器具有高清晰度特性,例如低功耗、高亮度和高反应速度,所以OLED显 示器作为下一代显示装置而备受关注。
通常,OLED显示器中的电极和金属布线反射从外部进入的光。外部光 的反射使黑色的对比度和显示劣化,从而使OLED显示器的整体显示特性劣 化。
发明内容
根据本发明,提供了一种通过抑制外部光的反射而具有改善的可视性的 OLED显示器。即,OLED显示器具有改善的显示特性。
本发明的示例性实施例提供了一种OLED显示器,所述OLED显示器包 括基底、薄膜晶体管(TFT)、平坦化层、像素电极和像素限定层。TFT形成 在所述基底上,并包括栅电极、源电极和漏电极。平坦化层形成在所述TFT 上,并具有使所述漏电极的预定部分暴露的接触孔。像素电极形成在所述平 坦化层上,并通过所述接触孔连接到所述TFT的漏电极。像素限定层形成在 所述平坦化层上,并具有暴露所述像素电极的开口。所述像素限定层和所述 平坦化层具有不同的颜色。
所述像素限定层和所述平坦化层的混合颜色的亮度可以比所述像素限定 层和所述平坦化层的各个颜色的亮度低。
所述像素限定层的颜色和所述平坦化层的颜色可以呈互补的颜色关系。
所述平坦化层和所述像素限定层中的一者可以具有基本上的红色,而另 一者可以具有基本上的绿色。
所述平坦化层和所述像素限定层中的具有基本上的红色的一者可以包括 丙烯酸型树脂。
可选地,所述平坦化层和所述像素限定层中的一者可以具有基本上的黑 色。
所述OLED显示器还可以包括导电层,所述导电层由与所述栅电极、所 述源电极和所述漏电极中的至少一个电极的材料基本上相同的材料制成,并 且所述导电层形成在与所述栅电极、所述源电极和所述漏电极中的至少一个 电极基本上相同的层上。所述导电层的至少一部分设置在所述像素限定层下 方。
附图说明
图1是根据本发明示例性实施例的OLED显示器的布局图。
图2是沿II-II线截取的图1的剖视图。
在附图中,为了更好地理解并便于描述,近似地示出了每个元件的尺寸 和厚度。为了清楚起见,夸大了层、膜、面板、区域等的厚度。
具体实施方式
在整个说明书中,相同或类似的组成元件由相同的标号表示。应当理解, 当诸如层、膜、区域或基底之类的元件被称作“在”另一元件“上”时,该 元件可以直接在另一元件上,或者还可以存在中间元件。相反,当元件被称 作“直接在”另一元件“上”时,不存在中间元件。
虽然附图示出了具有有源矩阵(AM)型的OLED显示器的2Tr-1Cap结 构,在2Tr-1Cap结构中,两个TFT和一个电容器设置在像素中的,但本发明 不限于此。因此,OLED显示器可以具有各种结构。例如,OLED显示器可 包括位于一个像素中的三个以上的TFT和两个以上的电容器,还可包括附加 的布线。
这里,像素是用于显示图像的最小单元,OLED显示器通过多个像素来 显示图像。
现在参照图1和图2,OLED显示器100包括位于一个像素中的开关TFT 10、驱动TFT 20、电容器80和OLED 70。OLED显示器100还包括沿一个 方向设置的栅极线151、与栅极线151交叉且绝缘的数据线171以及公共电 源线172。这里,一个像素由作为边界的栅极线151、数据线171和公共电源 线172限定。
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





