[发明专利]微机电传感器与制作方法有效

专利信息
申请号: 200910007884.2 申请日: 2009-02-20
公开(公告)号: CN101811657A 公开(公告)日: 2010-08-25
发明(设计)人: 王传蔚 申请(专利权)人: 原相科技股份有限公司
主分类号: B81C1/00 分类号: B81C1/00;B81B7/02;B81C5/00;G01D5/00
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 陈肖梅;谢丽娜
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 微机 传感器 制作方法
【权利要求书】:

1.一种微机电传感器制作方法,其特征在于,包含:

提供一个基板;

在该基板上形成内连线并以介电层包覆该内连线,该内连线包含一金属结构、一悬浮结构、及一待蚀刻结构体,该待蚀刻结构体用以将该金属结构与该悬浮结构至少部分区隔开;

蚀刻该基板的背部,露出该待蚀刻结构体;以及

蚀刻去除该待蚀刻结构体。

2.如权利要求1所述的微机电传感器制作方法,其中,在蚀刻该基板背部时,不露出该金属结构与该悬浮结构。

3.如权利要求1所述的微机电传感器制作方法,其中,还包含:

以气密封装的方式封闭该基板的背部。

4.如权利要求3所述的微机电传感器制作方法,其中,该气密封装的材料为硅或玻璃。

5.如权利要求1所述的微机电传感器制作方法,其中,还包含:在内连线上方形成防护层,以及蚀刻该防护层,露出内连线顶层的连接垫。

6.如权利要求1所述的微机电传感器制作方法,其中,该内连线更形成一防护环,此防护环将该悬浮结构包围在内。

7.如权利要求1所述的微机电传感器制作方法,其中,该内连线包含:含铝的金属层和含钨的接触层与通道层,且该蚀刻去除待蚀刻结构体的步骤使用硫酸加双氧水。 

8.如权利要求1所述的微机电传感器制作方法,其中,该基板为硅基板,且该蚀刻基板背部的步骤使用感应耦合电浆蚀刻。

9.如权利要求1所述的微机电传感器制作方法,其中,该金属结构与该悬浮结构分别构成上下电极。

10.如权利要求5所述的微机电传感器制作方法,其中,还包含:蚀刻去除该金属结构上方的防护层。

11.如权利要求1所述的微机电传感器制作方法,其中,还包含:在该基板上形成介电层,以及蚀刻去除该金属结构上方的介电层。

12.一种微机电传感器,其特征在于,包含:

部分挖空的基板;

位于基板挖空部分上方的悬浮结构;以及

与悬浮结构至少部分隔开的上方结构,

其中该悬浮结构与上方结构通过包含金属蚀刻的步骤而区隔开,且该悬浮结构包含下方金属层和包覆该下方金属层的介电材料,该上方结构包含上方金属层和位于该上方金属层下方的另一层介电材料。

13.如权利要求12所述的微机电传感器,其中,还包含:包围该悬浮结构的防护环。

14.如权利要求12所述的微机电传感器,其中,还包含:气密封闭该基板挖空部分的气密层。

15.如权利要求12所述的微机电传感器,其中,该上方结构与悬浮结构分别构成上下电极。

16.如权利要求12所述的微机电传感器,其中,该上方结构可弹 性变形。 

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