[发明专利]发光二极管装置的制造方法及喷涂设备

权利要求书

1.一种发光二极管装置的制造方法，其特征在于，包括：

提供一发光二极管；

提供至少一荧光体溶液，其包括一溶剂以及分散于该溶剂中的荧光粉体，其中所述荧光粉体的粒径介于5～30微米之间；

将该至少一荧光体溶液涂布在该发光二极管上；

进行一固化程序，以使该荧光体溶液固化成一荧光层；以及

在该荧光层上涂布一封胶层，其包覆住该发光二极管及该荧光层。

2.如权利要求1所述的发光二极管装置的制造方法，其特征在于，在所述的发光二极管上涂布多种荧光体溶液且在该固化程序之后，这些荧光体溶液固化成多个荧光图案，且这些荧光图案构成单一膜层。

3.如权利要求1所述的发光二极管装置的制造方法，其特征在于，在所述的发光二极管上涂布多种荧光体溶液且在该固化程序之后，该些荧光体溶液固化成多层荧光层，且这些荧光层是垂直堆栈。

4.如权利要求1所述的发光二极管装置的制造方法，其特征在于，还包括添加一分散剂至该至少一荧光体溶液中。

5.如权利要求4所述的发光二极管装置的制造方法，其特征在于，所述的分散剂具有一化学式：

R-A-X，

其中R代表有机化合物取代基，A表示硅或金属原子，且X代表水解性官能基。

6.如权利要求5所述的发光二极管装置的制造方法，其特征在于，所述的R为芳香族化合物取代基或是脂肪族化合物取代基。

7.如权利要求5所述的发光二极管装置的制造方法，其特征在于，所述的A所表示的金属原子为钛或铝。

8.如权利要求5所述的发光二极管装置的制造方法，其特征在于，所述的分散剂包括卤素或烷氧基。

9.如权利要求5所述的发光二极管装置的制造方法，其特征在于，所述的分散剂包括硅酸四乙酯、硅酸四甲酯、甲基三甲氧基硅烷或甲基三乙氧基硅烷。

10.如权利要求1所述的发光二极管装置的制造方法，其特征在于，所述的封胶层包括树脂或硅胶。

11.如权利要求1所述的发光二极管装置的制造方法，其特征在于，所述的溶剂的沸点介于摄氏100～200度间。

12.一种喷涂设备，用于在一发光二极管表面喷涂一荧光层，其特征在于，该喷涂设备包括：

一搅拌槽，该搅拌槽中装有一荧光体溶液，其包括一溶剂以及分散于该溶剂中的荧光粉体，其中所述荧光粉体的粒径介于5～30微米之间；

一振动槽，设置于该搅拌槽的一侧；

一第一连通管，其位于该搅拌槽与该振动槽之间，且该搅拌槽中的该荧光体溶液经由该第一连通管流向该振动槽；

一缓冲槽，设置于该振动槽的一侧；

一第二连通管，其位于该振动槽与该缓冲槽之间，且该振动槽中的该荧光体溶液经由该第二连通管流向该缓冲槽；

一喷涂装置，设置于该缓冲槽的一侧；

一第三连通管，其位于该缓冲槽与该喷涂装置之间，该缓冲槽中的该荧光体溶液经由该第三连通管流向该喷涂装置，

其中该喷涂装置设置于该发光二极管的一侧，以将该荧光体溶液喷涂至该发光二极管表面。

13.如权利要求12所述的喷涂设备，其特征在于，所述的搅拌槽设有一搅拌棒装置、一气泡产生装置或是一流体产生装置。

14.如权利要求13所述的喷涂设备，其特征在于，所述的搅拌棒装置的转速为500～8000rpm。

15.如权利要求12所述的喷涂设备，其特征在于，所述的振动槽装设有一振动棒装置、一底部振动盘或是一振动壁。

16.如权利要求12所述的喷涂设备，其特征在于，所述的振动槽的振动频率为0.1～100KHz。

17.如权利要求12所述的喷涂设备，其特征在于，所述的喷涂装置包括：

一供应管；以及

多个喷嘴，其与该供应管连接。

18.如权利要求12所述的喷涂设备，其特征在于，所述的喷涂装置包括：

多条供应管；以及

多个喷嘴，每一喷嘴与对应的一条供应管连接。