[发明专利]对非易失性存储器件进行编程的方法

权利要求书

1.一种对非易失性存储器件进行编程的方法，包括：

输入第一编程操作命令；并且

根据编程起始电压存储部件中存储的编程起始电压来执行编程操作，

其中在当执行所述编程操作时被编程为高于验证电压的存储单元第一次出现的时间点所施加的编程电压被更新为编程起始电压。

2.根据权利要求1所述的编程方法，还包括：当在完成所述第一编程操作命令的执行之后执行第二编程操作命令时，根据更新的所述编程起始电压来执行编程操作。

3.根据权利要求2所述的编程方法，其中每个编程操作的执行包括向所述编程起始电压重复增加阶跃电压直至目标编程单元被编程为高于验证电压。

4.根据权利要求1所述的编程方法，其中所述编程电压的更新包括使用在被编程为高于验证电压的存储单元第一次出现的时间点所施加的编程电压代替先前存储的编程起始电压。

5.一种对非易失性存储器件的多级单元(MLC)编程方法，所述方法包括：

输入第一编程操作命令；

根据第一逻辑页面编程起始电压存储部件中存储的第一逻辑页面编程起始电压来执行第一逻辑页面编程操作；

将在当执行所述第一逻辑页面编程操作时被编程为高于最低验证电压的存储单元第一次出现的时间点所施加的编程电压更新为所述第一逻辑页面编程起始电压；

完成所述第一逻辑页面编程操作；

根据第二逻辑页面编程起始电压存储部件中存储的第二逻辑页面编程起始电压来执行第二逻辑页面编程操作；

将在当执行所述第二逻辑页面编程操作时被编程为高于最低验证电压的存储单元第一次出现的时间点所施加的编程电压更新为所述第二逻辑页面编程起始电压；并且

完成所述第二逻辑页面编程操作，由此完成所述第一编程操作命令的执行。

6.根据权利要求5所述的MLC编程方法，还包括：当执行第二编程操作命令时，根据更新的所述第一和第二逻辑页面编程起始电压来执行编程操作。

7.一种对非易失性存储器件进行编程的方法，包括：

根据编程起始电压存储部件中存储的编程起始电压来执行第n编程操作命令；

将在当执行所述编程操作时被编程为高于验证电压的存储单元第一次出现的时间点所施加的编程电压更新为所述编程起始电压；并且

根据更新的所述编程起始电压来执行第(n+1)编程操作命令。

8.根据权利要求7所述的编程方法，其中每个编程操作命令的执行包括向所述编程起始电压重复增加阶跃电压直至目标编程单元被编程为高于验证电压。

9.根据权利要求7所述的编程方法，其中所述编程电压的更新包括使用在被编程为高于验证电压的存储单元第一次出现的时间点所施加的编程电压代替先前存储的编程起始电压。

10.根据权利要求7所述的编程方法，其中所述编程起始电压存储部件包括用于以页面为基础存储不同编程起始电压的第一至第n页面编程起始电压存储部件。

11.根据权利要求7所述的编程方法，其中所述编程起始电压存储部件包括用于以存储单元块为基础存储不同编程起始电压的第一至第n块编程起始电压存储部件。

12.根据权利要求7所述的编程方法，其中所述编程起始电压存储部件包括用于以芯片为基础存储不同编程起始电压的第一至第n芯片编程起始电压存储部件。

13.一种对非易失性存储器件的n位MLC编程方法，所述方法包括：

输入第m编程操作命令；并且

根据分别存储在第一至第n逻辑页面编程起始电压存储部件中的第一至第n逻辑页面编程起始电压来依次执行第一至第n逻辑页面编程操作，

其中在当执行每个逻辑页面的编程操作时被编程为高于最低验证电压的存储单元第一次出现的时间点所施加的编程电压被更新为每个逻辑页面编程起始电压。

14.根据权利要求13所述的n位MLC编程方法，还包括：当执行第(m+1)编程操作命令时，根据更新的所述第一至第n逻辑页面编程起始电压来依次执行所述第一至第n逻辑页面编程操作。