[发明专利]一种晶片结构及其制造方法

权利要求书

1.一种晶片结构的制造方法，其特征在于包括以下步骤：

步骤1，提供一种具有半导体基底、阻挡层和介电层的结构；

步骤2，在步骤1的结构上提供图案化的光阻；

步骤3，以该光阻为光罩层进行蚀刻，形成浅沟槽结构，而后去除该图案化的光阻；

步骤4，沉积第一氧化物层，该第一氧化物层覆盖包括浅沟槽结构的基底表面；

步骤6，再沉积一层氮化物层；

步骤7，在该结构的预定的低压区沉积一层光阻，而后以该光阻为光罩层蚀刻该结构的预定的高压区，去除预定的高压区的氮化物层，再去除光阻；

步骤8，在预定的高压区和预定的低压区再生长一层氧化物层。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于该第一氧化物层的厚度为100A-200A。

3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于该第一氧化物层的厚度为150A。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的制造方法，其特征在于该氮化物层的厚度为60A-90A。

5.根据权利要求1-3中任一项所述的制造方法，其特征在于步骤8之后得到的高压区的氧化物层的厚度为500A。

6.根据权利要求1-3中任一项所述的制造方法，其特征在于步骤7具体为在氮化物层沉积之后，在低压区的结构表面沉积光阻，该光阻仅覆盖低压区，暴露高压区的氮化物层，蚀刻暴露的高压区的氮化物层，去除高压区的氮化物层，保留低压区的氮化物层，而后去除光阻。

7.根据权利要求1-3中任一项所述的制造方法，其特征在于步骤8中通过将具有该结构的晶片送入炉管高温烘烤，以便再生长一层氧化物层。

8.根据权利要求1-3中任一项所述的制造方法，其特征在于步骤7中，低压区根据该结构的需求、通过Boolean算法得到。

9.一种根据权利要求1-8中任一项所述的制造方法制造的晶片结构，其特征在于包括：

半导体基底，半导体基底上的阻挡层，阻挡层上的介电层，从介电层蚀刻到达半导体基底的浅沟槽结构，该晶片结构所具有的预定的高压区和预定的低压区，位于预定的高压区表面的高压区氧化物层和位于预定的低压区表面的从下至上的第一低压区氧化物层、氮化物层和第二低压区氧化物层。