[发明专利]堆栈式多封装构造装置、半导体封装构造及其制造方法

说明书

技术领域

本发明有关于一种堆栈式多封装构造装置，更特别有关于一种包含中介基板的堆栈式多封装构造装置的下封装构造。

背景技术

目前，堆栈式多封装构造(Package on Package；POP)装置主要是指将一半导体封装构造配置于另一半导体封装构造上，其基本目的是要增加密度以在每单位空间中产生更大的功能性，以及更好的区域性效能，因此可降低整个堆栈式多封装构造装置的总面积，同时也降低其成本。

参考图1，其显示一种已知堆栈式多封装构造装置50的结构，亦即两个堆栈的多封装构造模块(Multi-Package Module；MPM)，并经由焊球28相互电性连接。在该堆栈式多封装构造装置50中，第一封装构造为“上”封装构造20，且第二封装构造为“下”封装构造10。该上封装构造20堆栈在该下封装构造10上。该上封装构造20包含一芯片24，其固定于该基板22上。该上封装构造20的基板22具有上金属层及下金属层，其可被图案化以提供适当的电路，并经由镀通孔相互电性连接。该芯片24经由黏胶23，诸如环氧树脂而固定于该基板22的上表面。该下封装构造10包含一芯片14，其固定于该基板12上。该下封装构造10的基板12亦具有上金属层及下金属层，其可被图案化以提供适当的电路，并经由镀通孔相互电性连接。该芯片14经由黏胶13，诸如环氧树脂而固定于该基板12的上表面。

在该上封装构造20及该下封装构造10中，该芯片24、14的接垫25、15分别经由焊线26、16而打线接合于该基板22、12的上表面的位置，以建立电性连接。该芯片24、14及该焊线26、16分别经由上封胶化合物(molding compound)27及下封胶化合物17而被包覆。数个焊球28固定于位在该基板22的下表面边缘的接垫上，以电性连接于该下封装构造10。数个焊球18固定于位在该基板12的下表面的接垫上，以电性连接于一外部电路板(图未示)。

由于该焊球28回焊于位在该上封装构造20的基板22的下表面边缘的接垫上，且该焊球28贴附于位在该下封装构造10的基板12的上表面边缘的接垫上，因此该堆栈式多封装构造装置50中的该上封装构造20及该下封装构造10的相互连接将可达成。

然而，已知堆栈式多封装构造装置50并未具有任何中介基板或基板，其配置于该上封装构造20与下封装构造10之间，用以提供电性连接或更多功能。

因此，便有需要提供一种堆栈式多封装构造装置，能够解决前述的问题。

发明内容

本发明提供一种堆栈式多封装构造装置的下封装构造，其包含一基板、一芯片、一中介基板及一封胶化合物。该基板具有一上表面及一下表面，该下表面相对于该上表面。该芯片电性连接于该基板的上表面。该中介基板配置于该芯片上，并电性连接于该基板的上表面，其中该中介基板具有一上表面及一下表面，该下表面相对于该上表面并面向该芯片，该中介基板包含至少一内埋组件及数个电性接点，该内埋组件位于该上下表面之间，且该些电性接点位于该中介基板的上表面。该封胶化合物包覆该芯片，并覆盖该基板的上表面及中介基板的下表面。

根据本发明的该实施例的堆栈式多封装构造装置，该中介基板可提供该下及上封装构造作为电性连接之用，且该内埋组件可提供更多功能。

为了让本发明的上述和其它目的、特征、和优点能更明显，下文将配合附图，作详细说明如下。

附图说明

图1为现有技术的一堆栈式多封装构造装置的剖面示意图。

图2为本发明的一实施例的堆栈式多封装构造装置的剖面示意图。

图3为本发明的另一实施例的堆栈式多封装构造装置的剖面示意图。

图4至8为本发明的该实施例的堆栈式多封装构造装置的下封装构造的制造方法的剖面示意图。

主要组件符号说明：

10封装构造

12基板      13黏胶

14芯片      15接垫

16焊线

17封胶化合物  18  焊球

20封装构造  22  基板

23黏胶  24  芯片

25接垫

26焊线  27  封胶化合物

28焊球  50  多封装构造装置

200  多封装构造装置  210封装构造

212  基板  213黏胶

214  芯片  215接垫

216  焊线  217封胶化合物

218  电性接点  218a  接垫

218b 焊球

220  封装构造  222基板