[发明专利]制造Ⅲ族氮化物晶体的方法无效
| 申请号： | 200910006384.7 | 申请日： | 2009-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN101509146A | 公开（公告）日： | 2009-08-19 |
| 发明（设计）人： | 佐藤史隆;中畑成二 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B25/20;C30B33/12;H01L21/20 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 陈海涛;樊卫民 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制造 氮化物 晶体 方法 | ||
【权利要求书】：
1.III族氮化物晶体制造方法，包括：
在III族氮化物衬底的一个主面上生长III族氮化物晶体的步骤， 其中至少所述III族氮化物晶体的构成原子类型和比例、或其掺杂剂类 型和浓度与所述III族氮化物衬底不同；以及
通过气相腐蚀除去所述III族氮化物衬底的步骤。
2.如权利要求1所述的III族氮化物晶体制造方法，其中通过在 所述III族氮化物衬底的另一个主面上喷射腐蚀气体来进行所述气相腐 蚀。
3.如权利要求1所述的III族氮化物晶体制造方法，其中所述气 相腐蚀使用选自HCl气体、Cl2气体和H2气体中的至少一种气体作为 腐蚀气体。
4.如权利要求1所述的III族氮化物晶体制造方法，其中所述III 族氮化物晶体的生长温度和所述气相腐蚀的腐蚀温度之差为200℃以 下。
5.如权利要求1所述的III族氮化物晶体制造方法，其中在所述 气相腐蚀中的腐蚀温度为700℃以上。
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