[发明专利]发光元件及其制造方法

权利要求书

1.一种发光元件的制造方法，其步骤至少包含：

提供基板，其中该基板具有第一主要表面与第二主要表面；

形成多个发光叠层于该基板的第一主要表面上；

形成蚀刻保护层于该些发光叠层上；

以不连续性激光在该基板形成多个不连续的孔洞；

蚀刻该多个不连续的孔洞；以及

沿着该多个不连续的孔洞劈裂该基板。

2.如权利要求1所述的发光元件制造方法，还包含移除该蚀刻保护层的步骤。

3.如权利要求1所述的发光元件制造方法，其中形成该发光叠层的步骤，至少包含：

形成第一导电型半导体层于该基板的第一主要表面上；

形成有源层于该第一导电型半导体层上；

形成第二导电型半导体层于该有源层上；

利用光刻蚀刻技术蚀刻该第一导电型半导体层、该有源层以及该第二导电型半导体层，以形成多个为台状结构的发光叠层。

4.如权利要求1所述的发光元件制造方法，其中蚀刻该多个不连续的孔洞的步骤是在摄氏100至300的温度条件以蚀刻液蚀刻10至50分钟。

5.如权利要求4所述的发光元件制造方法，其中该蚀刻液为硫酸与磷酸的成分比为3∶1的溶液或磷酸溶液。

6.如权利要求1所述的发光元件制造方法，其中该蚀刻保护层的材料为SiO₂或SiN_x。

7.如权利要求1所述的发光元件制造方法，其中该以不连续性激光在该基板形成多个不连续的孔洞的步骤中，该不连续性激光为点发式激光。

8.如权利要求1所述的发光元件制造方法，其中该以不连续性激光于该基板形成多个不连续的孔洞的步骤中，该孔洞形成于该第一主要表面或该第二主要表面。

9.如权利要求1所述的发光元件制造方法，还包含形成至少一电极于该发光叠层上的步骤。

10.如权利要求9所述的发光元件制造方法，还包含形成透明导电氧化层于该发光叠层与该电极间的步骤。

11.一种发光元件，至少包含：

基板，其中该基板具有至少一第一主要表面、一第二主要表面以及一侧壁；

发光叠层，位于该基板上，其中该基板的侧壁至少包含至少一第一结构面与至少一第二结构面，该第一结构面为实质不平整表面，而该第二结构面为实质平整表面。

12.如权利要求11所述的发光元件，其中该第一结构面的结构为凹凸结构。

13.如权利要求12所述的发光元件，其中该凹凸结构具有的延伸方向为纵向方向。

14.如权利要求12所述的发光元件，该凹凸结构的延伸方向由该第一主要表面朝向该第二主要表面延伸、由该第一主要表面朝向远离该第一主要表面的方向延伸或由该第二主要表面朝向远离该第二主要表面的方向延伸。

15.如权利要求12所述的发光元件，其中该凹凸结构的延伸方向实质平行于该基板主要表面的法线方向。

16.如权利要求11所述的发光元件，其中该第一结构面形成于该基板侧壁靠近该第一主要表面处或靠近该第二主要表面处。

17.如权利要求11所述的发光元件，该第一结构面形成于该基板侧壁上，其中该第一结构面上下皆是该第二结构面。