[发明专利]具有增强回转率的输出缓冲电路

权利要求书

1.一种具有增强回转率的输出缓冲电路，其特征在于其包含：

一输入级，用以接收一输入信号；

一输出级，包含一来源晶体管及一汲取晶体管，用以驱动一负载；

一第一回转率增强晶体管，用以增强该汲取晶体管的电流汲取能力；

一第二回转率增强晶体管，用以增强该来源晶体管的电流提供能力；

一第一控制电路，用以控制该第一回转率增强晶体管；以及

一第二控制电路，用以控制该第二回转率增强晶体管；

其中，当处于稳态时，该第一控制电路、第二控制电路分别关闭该第 一回转率增强晶体管、第二回转率增强晶体管；当处于高至低转态时，该 第一控制电路开启该第一回转率增强晶体管；当处于低至高转态时，该第 二控制电路开启该第二回转率增强晶体管；

所述的第一回转率增强晶体管为p型金氧半导体晶体管，其漏极连接 并控制该汲取晶体管的栅极；当处于高至低转态时，该开启的第一回转率 增强晶体管开启该汲取晶体管，因而自该负载汲取电流；

所述的第二回转率增强晶体管为p型金氧半导体晶体管，其漏极连接 并控制该输出级的输出节点；当处于低至高转态时，该开启的第二回转率 增强晶体管提供电流至该负载。

2.根据权利要求1所述的具有增强回转率的输出缓冲电路，其特征在 于其中所述的输入级包含至少一差动对。

3.根据权利要求1所述的具有增强回转率的输出缓冲电路，其特征在 于其中所述的第一控制电路包含一p型金氧半导体晶体管，其宽度被设计 使得该p型金氧半导体晶体管在稳态时，其漏极电位足够高而关闭该第一 回转率增强晶体管；当处于高至低转态时，该p型金氧半导体晶体管的漏 极电位足够低而开启该第一回转率增强晶体管。

4.根据权利要求1所述的具有增强回转率的输出缓冲电路，其特征在 于其中所述的第二控制电路包含一p型金氧半导体组成晶体管，其宽度被 设计使得该p型金氧半导体晶体管在稳态时，其漏极电位足够高而关闭该 第二回转率增强晶体管；当处于低至高转态时，该p型金氧半导体晶体管 的漏极电位足够低而开启该第二回转率增强晶体管。

5.一种具有增强回转率的输出缓冲电路，其特征在于其包含：

一输入级，用以接收一输入信号；

一输出级，包含一来源晶体管及一汲取晶体管，用以驱动一负载；

一第一回转率增强晶体管，用以增强该来源晶体管的电流提供能力；

一第二回转率增强晶体管，用以增强该汲取晶体管的电流汲取能力；

一第一控制电路，用以控制该第一回转率增强晶体管；以及

一第二控制电路，用以控制该第二回转率增强晶体管；

其中，当处于稳态时，该第一控制电路、第二控制电路分别关闭该第 一回转率增强晶体管、第二回转率增强晶体管；当处于低至高转态时，该 第一控制电路开启该第一回转率增强晶体管；当处于高至低转态时，该第 二控制电路开启该第二回转率增强晶体管；

所述的第一回转率增强晶体管为n型金氧半导体晶体管，其漏极连接 并控制该来源晶体管的栅极；当处于低至高转态时，该开启的第一回转率 增强晶体管开启该来源晶体管，因而提供电流至该负载；

所述的第二回转率增强晶体管为n型金氧半导体晶体管，其漏极连接 并控制该输出级的输出节点；当处于高至低转态时，该开启的第二回转率 增强晶体管自该负载汲取电流。

6.根据权利要求5所述的具有增强回转率的输出缓冲电路，其特征在 于其中所述的输入级包含至少一差动对。

7.根据权利要求5所述的具有增强回转率的输出缓冲电路，其特征在 于其中所述的第一控制电路包含一n型金氧半导体晶体管，其宽度被设计 使得该n型金氧半导体晶体管在稳态时，其漏极电位足够低而关闭该第一 回转率增强晶体管；当处于低至高转态时，该n型金氧半导体晶体管的漏 极电位足够高而开启该第一回转率增强晶体管。

8.根据权利要求5所述的具有增强回转率的输出缓冲电路，其特征在 于其中所述的第二控制电路包含一n型金氧半导体晶体管，其宽度被设计 使得该n型金氧半导体晶体管在稳态时，其漏极电位足够低而关闭该第二 回转率增强晶体管；当处于高至低转态时，该n型金氧半导体晶体管的漏 极电位足够高而开启该第二回转率增强晶体管。