[发明专利]探针的制作方法及其探针阵列

说明书

技术领域

本发明涉及探针的制作方法及其探针阵列，特别是关于一种通过光刻、电镀与微放电等工艺以形成探针的制作方法及其探针阵列。

背景技术

在现有技术的美国专利US7122760已揭露一种以微机电技术制作高密度的探针阵列(probe array)，特别是通过一微放电加工工艺将微放电机台的阵列式电极在加工件上形成探针阵列，然而此现有技术所揭露的微放电加工工艺无法缩短探针的制作时间与成本，必须在不同时程阶段分别使用两种不同的微放电加工机台以形成所需的探针阵列。

此外，现有技术的中国台湾专利TW7122760亦揭露一种主要由超音波震动与微电解加工等工艺制作一探针，先以导电性材料通过线切割放电研磨加工方式，预制成所需形状的待加工件，并以待加工件做为待解离的第一电极，再配合第二电极而在制造流程上结合超音波振动与电化学的微电解加工的复合加工技术对该待加工件加工，进而将待加工件加工成具有微米或更小的微小电极或探针，由于此现有技术必须使用超音波振动、线切割放电研磨加工与微电解等三种工艺予以加工而形成所需的微小电极或探针，由于所揭露的加工工艺过于繁复，依然无法缩短探针的制作时间与成本。

因此，上述的现有技术所提供的探针制作是一种高成本的加工方式，仅能以较繁复的工艺来制作探针阵列，当同时需要加工出数百支甚至数千支的高频接触式探针或大量批次生产时，不只无法提升探针的加工制作效率，进而在实际使用上影响探针在半导体元件的测试时程。

发明内容

为了解决上述现有技术不尽理想之处，本发明提供了一种探针的制作方法及使用此制作方法所制作的探针阵列，其中，此探针的制作方法包含以下步骤：提供一第一基板；进行第一基板的表面处理；披覆一金属垫层在基板上；披覆一光阻层在金属垫层上；在光阻层进行曝光及显影以形成多个凹陷区及多个凸出轮廓部；形成一电极层在凹陷区之内；研磨外露于凹陷区之外的电极层表面；移除光阻层，使电极层形成多个凹陷轮廓区；提供一第二基板；以及将第一基板的电极层对第二基板进行一微放电加工而形成多个探针体。

因此，本发明的主要目的是提供一种探针的制作方法，通过整合光刻工艺、电镀工艺与微放电加工工艺以提供探针的大量制作。

本发明的次要目的是提供一种探针的制作方法，通过光刻工艺与电镀工艺制作阵列式的电极层，并将此阵列式的电极层做为探针体的原型，再以微放电加工工艺重复性制作批量的探针。

本发明的另一目的是提供一种探针的制作方法，可重复使用光刻工艺所制作的阵列式的电极层，据此降低制作批量的探针所需的光刻工艺次数。

本发明的又一目的是提供一种探针阵列，通过整合光刻工艺、电镀工艺与微放电加工工艺以达到探针阵列的大量制作。

本发明的再一目的是提供一种探针阵列，通过光刻工艺与电镀工艺制作阵列式的电极层，并将此阵列式的电极层做为探针体的原型，再以微放电加工工艺重复性制作批量的探针阵列。

本发明的又一目的是提供一种探针阵列，可重复使用光刻工艺所制作的阵列式的电极层，以降低批量制作探针阵列所需的光刻工艺次数。

附图说明

图1(a)至图1(h)为一示意图，是根据本发明提供的第一较佳实施例，为一种探针的制作方法；其中：

图1(a)为第一基板的表面处理；

图1(b)为批覆金属垫层；

图1(c)为批覆光阻层；

图1(d)为光刻制作凹陷区；

图1(e)为电镀一电极层；

图1(f)为研磨端部；

图1(g)为移除光阻；

图1(h)为进行放电加工；

图2为一示意图，是根据本发明的第一较佳实施例，为一种具有近似S形构型的探针体；

图3为一流程图，是根据本发明提供的第二较佳实施例，为一种利用放电加工制作探针的方法；

图4为一流程图，是根据本发明提供的第三较佳实施例，为又一种探针的制作方法。

【主要元件符号说明】

第一基板10

第二基板16

金属垫层11

光阻层12

电极层13

凸出轮廓部15

凹陷区17

消蚀区18

凹陷轮廓区19

探针体160

阴极20a

阳极20b

具体实施方式