[发明专利]薄膜晶体管及包括该薄膜晶体管的平板显示装置有效
| 申请号： | 200910005696.6 | 申请日： | 2009-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN101527321A | 公开（公告）日： | 2009-09-09 |
| 发明（设计）人： | 河载兴;宋英宇;李锺赫;金容铎 | 申请（专利权）人： | 三星移动显示器株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/32;G02F1/1368;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐江华;王珍仙 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 包括 平板 显示装置 | ||
1.一种薄膜晶体管，包括：
形成在基板上的栅极；
与所述栅极绝缘的源极和漏极；
与所述栅极绝缘并电连接所述源极和漏极的沟道层；和
布置在所述沟道层和所述栅极之间的绝缘层，
其中所述沟道层包括非晶12CaO·7Al2O3。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述沟道层的厚度为5～200nm。
3.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述沟道层通过在100～600℃ 的温度下热处理沉积在绝缘层上的12CaO·7Al2O3膜来形成。
4.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述基板包括SUS基板、玻璃 基板和塑料基板之一。
5.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述沟道层的带隙值为3～3.5eV。
6.如权利要求1所述的薄膜晶体管，进一步包括布置在所述基板上、位于 所述栅极和所述基板之间的缓冲层。
7.一种薄膜晶体管，包括：
直接形成在基板上的源极和漏极；
与所述源极和漏极绝缘的栅极；
电连接所述源极和漏极并与所述栅极绝缘的沟道层；和
布置在所述沟道层和所述栅极之间的绝缘层，
其中所述沟道层包括非晶12CaO·7Al2O3。
8.如权利要求7所述的薄膜晶体管，其中所述沟道层的厚度为5～200nm。
9.如权利要求7所述的薄膜晶体管，其中所述沟道层通过在100～600℃ 的温度下热处理沉积在绝缘层上的12CaO·7Al2O3膜来形成。
10.如权利要求7所述的薄膜晶体管，其中所述基板包括SUS基板、玻璃 基板和塑料基板之一。
11.如权利要求7所述的薄膜晶体管，其中所述沟道层的带隙值为3～ 3.5eV。
12.如权利要求7所述的薄膜晶体管，进一步包括布置在所述基板上、位 于所述基板与所述源极和漏极之间的缓冲层。
13.一种平板显示装置，包括：
根据权利要求1～12中任意一项所述的薄膜晶体管；和
显示装置。
14.如权利要求13所述的平板显示装置，其中所述显示装置是有机发光装 置和液晶显示装置之一。
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