[发明专利]振幅偏移键制解调器及无线射频辨识系统有效
申请号: | 200910005510.7 | 申请日: | 2009-01-19 |
公开(公告)号: | CN101478515A | 公开(公告)日: | 2009-07-08 |
发明(设计)人: | 李原江;游岳华;陈怡然;李宇轩 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H04L27/06 | 分类号: | H04L27/06;H03D1/18;G05F3/26;H02M7/12 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 梁 挥;祁建国 |
地址: | 台湾*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 振幅 偏移 解调器 无线 射频 辨识 系统 | ||
技术领域
本发明是有关于无线通信领域,且特别是有关于一种振幅偏移键制解调器 及采用此种振幅偏移键制解调器的无线射频辨识系统。
背景技术
随着无线通信需求的快速发展以及宽带无线网络的蓬勃发展,无线射频辨 识(Radio Frequency Identification,RFID)系统近年来成为一个非常热门 的话题。无线射频辨识系统针对传统的接触式系统的缺点,利用无线电波方式 传送数字数据,因此感应器不需与接收器接触便可传递数据,减少因接触所造 成的装置损耗且提升了使用上的便利性。此外,若能同时与目前的显示器产业 作结合,直接整合于显示器上,其应用性势必将更为广泛。
因此,一方面,如何设计出一种允许较低振幅的输入信号的解调器,其可 以适合无线相关应用其输入信号较小的系统(例如无线射频辨识系统);另一 方面,如何设计出一种无线射频辨识系统,其可以整合于采用像低温复晶硅 (Low Temperature Poly-Silicon,LTPS)这种高阈值电压制程的显示器上, 均为目前亟待解决的问题。
发明内容
本发明的一目的就是在提供一种振幅偏移键制解调器,其允许较低振幅的 输入信号从而适合无线相关应用其输入信号较小的系统。
本发明的再一目的是提供一种无线射频辨识系统,其可以整合于显示器 上。
本发明一实施例提出一种振幅偏移键制解调器,适于解调一交流输入信号 而产生一解调封包信号;此振幅偏移键制解调器包括一信号输入端子组、一输 入整流电路、一电流镜电路、一输出级电路及一低通滤波电路。信号输入端子 组包括一第一输入端与一第二输入端,信号输入端子组接收此交流输入信号。 输入整流电路电性耦接至信号输入端子组以对此交流输入信号进行一全波整 流操作,其中,输入整流电路包含两个以上相电性耦接的晶体管且每一晶体管 采用其栅极不与源极及漏极相耦接的连接方式存在于输入整流电路中。电流镜 电路电性耦接至输入整流电路,并根据流经输入整流电路的一输入电流而产生 一镜像电流。输出级电路电性耦接至电流镜电路以接收镜像电流,输出级电路 并根据镜像电流而产生一输出电流。低通滤波电路电性耦接至输出级电路以接 收输出电流,低通滤波电路使输出电流经过低通滤波操作后产生此解调封包信 号。
在本发明一实施例中,上述的输入整流电路包括一第一N型晶体管、一第 二N型晶体管、一第一P型晶体管及一第二P型晶体管。第一N型晶体管具有 栅极、第一源/漏极与第二源/漏极,第一N型晶体管的栅极接收一第一控制电 压,且第一N型晶体管的第一源/漏极电性耦接至上述的第一输入端。第二N 型晶体管具有栅极、第一源/漏极与第二源/漏极,第二N型晶体管的栅极接收 第一控制电压,且第二N型晶体管的第一源/漏极电性耦接至上述的第二输入 端。第一P型晶体管具有栅极、第一源/漏极与第二源/漏极,第一P型晶体管 的栅极接收一第二控制电压,且第一P型晶体管的第一源/漏极电性耦接至上 述的第一输入端。第二P型晶体管具有栅极、第一源/漏极与第二源/漏极,第 二P型晶体管的栅极接收第二控制电压,且第二P型晶体管的第一源/漏极电 性耦接至上述的第二输入端。
在本发明一实施例中,上述的振幅偏移键制解调器还包括一偏压电路,此 偏压电路包括一第一电流源、一第三N型晶体管、一第二电流源及一第三P 型晶体管。第一电流源的一端电性耦接于一第一工作电压,另一端电性耦接于 第一N型晶体管的栅极。第三N型晶体管具有栅极、第一源/漏极与第二源/ 漏极,第三N型晶体管的栅极与第二源/漏极电性耦接于第一N型晶体管的栅 极,第三N型晶体管的第一源/漏极电性耦接于一第一偏压电压。第二电流源 的一端电性耦接于一第二工作电压,另一端电性耦接于第一P型晶体管的栅 极。第三P型晶体管具有栅极、第一源/漏极与第二源/漏极,第三P型晶体管 的栅极与第二源/漏极电性耦接于第一P型晶体管的栅极,第三P型晶体管的 第一源/漏极电性耦接于第一偏压电压。
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