[发明专利]单层型电子照相感光体和图像形成装置有效

专利信息
申请号: 200910005167.6 申请日: 2009-02-06
公开(公告)号: CN101526762A 公开(公告)日: 2009-09-09
发明(设计)人: 冈田英树 申请(专利权)人: 京瓷美达株式会社
主分类号: G03G5/047 分类号: G03G5/047;G03G5/05;G03G5/04;G03G15/08
代理公司: 北京德琦知识产权代理有限公司 代理人: 徐江华;王珍仙
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 单层 电子 照相 感光 图像 形成 装置
【说明书】:

技术领域

本发明涉及单层型电子照相感光体和图像形成装置,特别涉及在任何使 用环境下都能够有效抑制感光层表面上的成膜的产生和由此引起的形成图 像中的黑点的产生的单层型电子照相感光体和图像形成装置。

背景技术

目前使用由粘结树脂、电荷发生剂和空穴输送剂或电子输送剂等电荷输 送剂等构成的有机感光体作为用于图像形成装置等的电子照相感光体。上述 有机感光体与以往的无机感光体相比,在容易制造的同时,感光体材料的选 择项多种多样,所以具有结构设计的自由度大的优点。

另一方面,当稳定地形成高品质图像时,用于有机感光体的有机材料要 求满足各种条件。

特别是,电荷输送剂要求满足(i)对光和热稳定、(ii)对由电晕放 电产生的臭氧等稳定、(iii)具有强的电荷输送能力、(iv)与有机溶剂和 粘结树脂的相溶性高、和(v)制造容易且廉价等各种条件。

于是,公开了一种电子照相感光体,所述电子照相感光体使用了由下述 通式(30)表示的腙化合物作为满足这样的各种条件、特别是空穴输送能力 优异的空穴输送剂(例如专利文献1)。

通式(30)中,Ra和Rb独立地表示可以具有取代基的烷基、芳烷基或 芳基,X和Y独立地表示氢原子、烷基、烷氧基或二烷基氨基,k表示0或 1。

专利文献1:特公平5-33392(权利要求书)

但是,专利文献1的电子照相感光体没有对具有特定结构的腙化合物和 电子输送剂之间的组合性进行任何考虑。其结果是,构成为单层型电子照相 感光体时,发现了根据组合使用的电子输送剂的种类会显著降低感光度特性 的问题。

进而,专利文献1的电子照相感光体构成为单层型电子照相感光体时, 感光层的表面特性容易降低,特别是在高温高湿条件下形成图像时,发现了 在感光层的表面容易成膜的倾向。其结果是,发现了形成图像中容易产生黑 点的问题。

因而,要求一种能够抑制成膜和由此引起的黑点的产生,进而能够更有 效地发挥腙化合物所具有的优异的空穴输送能力的单层型电子照相感光体。

发明内容

于是,本发明人发现:在单层型电子照相感光体中,通过使用具有特定 结构的腙化合物作为空穴输送剂的同时,使电子输送剂对规定溶剂的溶解度 在规定范围之内,可以有效地提高感光层的表面特性。

其结果是,发现了即使在任何使用环境下形成图像时,都能够有效抑制 感光层表面上的成膜的产生和由此引起的形成图像中的黑点的产生,进而也 能够稳定地保持感光度特性。

本发明的一方面为一种单层型电子照相感光体,其在基体上具有感光层, 该感光层在同一层中含有电荷发生剂、空穴输送剂、电子输送剂和粘结树脂, 其特征在于,空穴输送剂为由下述通式(1)表示的腙化合物,并且,电子输送 剂在测定温度25℃下相对于四氢呋喃的溶解度具有27~50重量%范围内的值。

通式(1)中,R1和R2为分别独立的取代基,为氢原子、碳原子数1~6的 烷基、碳原子数1~6的烷氧基或二烷基氨基,所述二烷基氨基中的烷基为碳原 子数1~6的烷基。R3和R4为分别独立的取代基,为碳原子数1~6的烷基、碳 原子数6~20的芳烷基或碳原子数6~20的芳基。m表示0或1。

即,使用具有特定结构的腙化合物作为空穴输送剂的同时,电子输送剂 对规定溶剂的溶解度在规定范围之内,从而能够有效地提高感光层中的具有 特定结构的腙化合物的分散性。

更具体地说,具有规定溶解度的电子输送剂根据与具有特定结构的腙化 合物之间的特殊的相互作用,发挥上述化合物的分散助剂的功能,能够有效 地提高感光层中的具有特定结构的腙化合物的分散性。

其结果是,能够有效地提高感光层的表面特性,所以即使在任何使用环 境下都能够有效抑制感光层表面上的成膜的产生和由此引起的形成图像中 的黑点的产生。

并且,通过提高感光层中的电荷输送剂的分散性,可以有效发挥特定的 腙化合物本来具有的优异的空穴输送能力、耐臭氧性的特性,能够有效地保 持优异的感光度特性。

另外,电子输送剂相对于四氢呋喃的溶解度表示在25℃条件下、相对 于四氢呋喃100g可以溶解的最大限度的电子输送剂量(g)。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京瓷美达株式会社,未经京瓷美达株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910005167.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top