[发明专利]半导体元件及其制造方法有效
| 申请号： | 200910005133.7 | 申请日： | 2004-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN101521254A | 公开（公告）日： | 2009-09-02 |
| 发明（设计）人： | 畑雅幸;户田忠夫;冈本重之;井上大二朗;别所靖之;野村康彦;山口勤 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/00;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙 淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体元件，其特征在于，包含：
至少在背面一部分上具有错位集中的背面区域的基板；
在所述基板的表面上形成的半导体元件层；
在所述错位集中的所述背面区域上形成的绝缘膜；以及
以与所述错位集中的所述背面区域以外的所述基板的背面的区域相接触的方式形成的背面侧电极。
2.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，
所述半导体元件层至少在表面的一部分上具有所述错位集中的表面区域，
还包含：以与所述错位集中的所述表面区域以外的所述半导体元件层的表面区域相接触的方式形成的表面侧电极。
3.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，
所述基板包含氮化物类半导体基板。
4.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，
所述背面侧电极为透光性电极。
5.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，
所述半导体元件为光从所述背面侧电极侧射出的发光二极管。
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