[发明专利]半导体存储器件及其电容器的形成方法

权利要求书

1.一种半导体存储器件，包括：

各自具有底部并且形成于半导体衬底上的层间电介质层中的多个接触孔；

形成于各接触孔的底部上的阻挡层；

各自包括填充所述接触孔的导电层的多个第一存储节点接触；

形成于所述第一存储节点接触上方，连接至所述第一存储节点接触，并且与所述第一存储节点接触移位预定距离的多个第二存储节点接触；

形成于所述第二存储节点接触之间的绝缘层；

连接到所述第二存储节点接触并且以单位单元为基隔离的存储电极；和

覆盖所述存储电极的电介质层和板电极。

2.根据权利要求1的半导体存储器件，其中所述阻挡层包括硅化钛(TiSi₂)、硅化钴(CoSi₂)、和硅化钨(WSi)之一。

3.根据权利要求1的半导体存储器件，其中所述第一存储节点接触和所述第二存储节点接触包括金属、金属氧化物、和金属氮化物之一。

4.根据权利要求3的半导体存储器件，其中所述第一存储节点接触和所述第二存储节点接触的至少之一包括氮化钛(TiN)、氮化钽(TaN)、氮化铪(HfN)、钨(W)、钌(Ru)、氧化钌(RuO₂)、铂(Pt)、铱(Ir)、和氧化铱(IrO)之一。

5.根据权利要求1的半导体存储器件，其中形成于所述第二存储节点接触之间的绝缘层包括氮化物层。

6.根据权利要求1的半导体存储器件，其中形成于所述第二存储节点接触之间的绝缘层延伸至所述存储电极的下部以便支撑所述存储电极从而避免所述存储电极的倾斜或倒塌。

7.根据权利要求1的半导体存储器件，其中所述存储电极包括氮化钛(TiN)、氮化钽(TaN)、氮化铪(HfN)、钨(W)、钌(Ru)、氧化钌(RuO₂)、铂(Pt)、铱(Ir)、和氧化铱(IrO)之一。

8.一种半导体存储器件的电容器的形成方法，包括：

(a)在形成于半导体衬底上的第一层间电介质层中形成具有底部的第一接触孔；

(b)形成阻挡层于所述第一接触孔的底部上；

(c)形成填充所述第一接触孔的第一存储节点；

(d)形成第二层间电介质层于其上形成所述第一存储节点接触的(c)的结果上；

(e)形成暴露部分所述第一存储节点接触的第二接触孔；

(f)通过用导电层填充所述第二接触孔而形成第二存储节点接触；

(g)形成牺牲层于其中形成所述第二存储节点接触的(f)的结果上；

(h)蚀刻所述牺牲层以便暴露所述第二存储节点接触；

(i)形成以单位单元为基隔离的圆柱形存储电极于其上牺牲层被蚀刻的(h)的结果上；

(j)通过汲取工艺去除所述牺牲层；以及

(k)电介质层和板电极形成从而覆盖所述存储电极。

9.根据权利要求8的方法，其中在所述第一接触孔的底部上形成阻挡层包括：

在所述第一接触孔的底部上沉积用于硅化物的金属层；并且

通过热处理所述用于硅化物的金属层而形成金属硅化物。

10.根据权利要求9的方法，包括在氮气(N₂)的气氛下在700至900℃的温度热处理所述金属层10秒至300秒。

11.根据权利要求9的方法，其中所述用于硅化物的金属层包括钛(Ti)、钨(W)、和钴(Co)之一。

12.根据权利要求8的方法，包括形成氮化钛(TiN)、氮化钽(TaN)、氮化铪(HfN)、钨(W)、钌(Ru)、氧化钌(RuO₂)、铂(Pt)、铱(Ir)、和氧化铱(IrO)之一的所述第一存储节点接触。

13.根据权利要求8的方法，包括形成氮化钛(TiN)、氮化钽(TaN)、氮化铪(HfN)、钨(W)、钌(Ru)、氧化钌(RuO₂)、铂(Pt)、铱(Ir)、和氧化铱(IrO)之一的所述第二存储节点接触。

14.根据权利要求8的方法，还包括，在形成所述牺牲层之前，形成所述牺牲层下面的止蚀层。