[发明专利]电致发光显示面板、电子设备和电致发光显示面板驱动方法

说明书

相关申请的交叉引用

本发明包括关于2008年2月28日在日本专利局提交的日本专利申请JP 2008-048258的主题，将其全部内容完全包括于此并作为参考。

技术领域

在该专利说明书中描述的本发明涉及采用有源矩阵驱动系统驱动/控制 的有机EL(电致发光)显示面板，并涉及用于驱动该有机EL显示面板的驱 动技术。注意到，在该专利说明书中描述的本发明具有三个模式，即，有机 EL显示面板、采用该有机EL显示面板的电子设备和用于驱动该有机EL显 示面板的方法。

背景技术

图1是示出采用有源矩阵驱动方法驱动/控制的有机EL显示面板1的总 体电路框图。如图1的电路框图所示，有机EL显示面板1采用像素阵列部 分3、信号写入控制线驱动部分5和水平选择器7。注意到，像素阵列部分3 包括像素电路9，每个像素电路9位于信号线DTL和写入控制线WSL的交 叉处。

顺便提及，在每个像素电路9中采用的有机EL装置是根据流到其的电 流发光的发光装置。由此，有机EL显示面板1采用通过流过有机EL装置的 电流的调整控制像素的灰度(gradation)的方法。图2是示出由信号线DTL 连接到水平选择器7和由写入控制线WSL连接到信号写入控制线驱动部分5 的像素电路9的最简单的电路配置的框图。如图2的框图所示，除了有机EL 装置OLED之外，像素电路9还包括采样晶体管T1、驱动晶体管T2和信号 保持电容器Cs。

注意到，采样晶体管T1是用于控制将对应于像素电路9的灰度值的信 号电位Vsig存储在信号保持电容器Cs中的操作的TFT(薄膜晶体管)。另一 方面，驱动晶体管T2是用于基于驱动晶体管T2的栅极-源极电压Vgs将驱动 电流Ids供给到有机EL装置OLED的薄膜晶体管，且驱动晶体管T2的栅极 -源极电压Vgs由在信号保持电容器Cs中存储的信号电位Vsig确定。驱动电 流Ids是在驱动晶体管T2的漏极和源极之间流动的电流，而栅极-源极电压 Vgs是在驱动晶体管T2的栅极和源极之间出现的电压。在图2中的框图中所 示的像素电路9的情况下，采样晶体管T1是N沟道型的薄膜晶体管，而驱 动晶体管T2是P沟道型的薄膜晶体管。

在如图2的框图所示的像素电路9的情况下，驱动晶体管T2的源极通 过在本专利说明书中也被称为电源线的电流供给线连接到固定的电源电位 Vcc。驱动晶体管T2典型地在饱和区域中工作。就是说，驱动晶体管T2用 作恒流源，其用于将具有由信号电位Vsig确定的量值(magnitude)的驱动电 流Ids供给到有机EL装置OLED。该驱动电流Ids由下面等式表示：

Ids＝k·μ·(Vgs-Vth)²/2

在上述等式中，参考符号μ表示在驱动晶体管T2中多数载流子的迁移 率(mobility)，而参考符号Vth表示驱动晶体管T2的阈值电压。另一方面， 参考符号k表示由表达式(W/L)·Cox表示的系数，其中参考符号W表示驱 动晶体管T2的沟道宽度，参考符号L表示驱动晶体管T2的沟道长度，且参 考符号Cox表示驱动晶体管T2的每单位面积栅极电容。

注意到，已知在具有图2的框图所示的配置的像素电路9中采用的驱动 晶体管T2展现出由于老化过程而改变的漏极-电压特性，其根据如图3的曲 线图所示的作为I-V特性的改变而改变，该I-V特性表示在上述提到的驱动 电流Ids和在有机EL装置OLED的阳极和阴极之间施加的电压的关系，该关 系作为由于老化过程而随着时间的经过改变的关系。因为驱动晶体管T2的栅 极-源极电压Vgs由信号保持电容器Cs保持在固定电平，但是，供给到有机 EL装置OLED的驱动电流Ids的量值不改变，所以这允许将由有机EL装置 OLED发出的光的亮度保持在恒定值。

在该专利说明书中使用的用作有关采用有源矩阵驱动方法的有机EL面 板显示器的文件的文件如下所列： 日本专利特平开Nos.2003-255856、 2003-271095、2004-133240、2004-029791和2004-093682。

发明内容

顺便提及，取决于用于创建像素电路9的薄膜处理的类型，像素电路9 在某些情况下可不采用如图2的框图所示的典型电路配置。就是说，在流行 的薄膜处理中，在某些情况下可能不创建P沟道型的薄膜晶体管。在这种情 况下，代替地使用N沟道型薄膜晶体管作为驱动晶体管T2。