[发明专利]位准移位装置

权利要求书

1.一种位准移位装置，其特征在于，所述的位准移位装置包括：

一输入单元，操作在一核心电压下，以依据一输入信号的位准，来切换一导通电流的流通路径；

一第一与一第二偏压电路，各自具有一第一端与一第二端，其中所述第一与所述第二偏压电路的第一端用以接收一焊垫电压，以分别对所述焊垫电压进行分压，进而于所述第一与所述第二偏压电路的第二端提供直流电压；以及

一输出单元，电连接所述第一与所述第二偏压电路的第二端以及所述输入单元，并操作在所述焊垫电压下，以依据所述导通电流的流通路径来切换一输出信号的位准。

2.如权利要求1所述的位准移位装置，其特征在于，所述输出单元包括：

一迭接电路，电连接所述输入单元以及所述第一与所述第二偏压电路的第二端，并偏压在所述第一与所述第二偏压电路所提供的直流电压下，以配合所述导通电流的流通路径而据以传送所述导通电流；以及

一位准转换电路，电连接所述迭接电路，并用以接收所述焊垫电压，以依据所述导通电流的流通路径而决定是否将所述输出信号的位准切换至所述焊垫电压。

3.如权利要求2所述的位准移位装置，其特征在于，所述迭接电路包括：

一第一N型晶体管，其漏极端电连接所述位准转换电路，所述第一N型晶体管的源极端电连接所述输入单元，所述第一N型晶体管的栅极端电连接所述第一偏压电路的第二端；以及

一第二N型晶体管，其漏极端电连接所述位准转换电路，所述第二N型晶体管的源极端电连接所述输入单元，所述第二N型晶体管的栅极端电连接所述第二偏压电路的第二端，其中所述输出单元是通过所述第二N型晶体管的漏极端来产生所述输出信号，并通过所述第一N型晶体管的漏极端来产生所述输出信号的反相信号。

4.如权利要求3所述的位准移位装置，其特征在于，所述位准转换电路包括：

一第一P型晶体管，其源极端用以接收所述焊垫电压，所述第一P型晶体管的漏极端电连接所述第一N型晶体管的漏极端；以及

一第二P型晶体管，其源极端用以接收所述焊垫电压，所述第二P型晶体管的漏极端电连接至所述第二N型晶体管的漏极端以及所述第一P型晶体管的栅极端，所述第二P型晶体管的栅极端电连接所述第一P型晶体管的漏极端。

5.如权利要求3所述的位准移位装置，其特征在于，所述输入单元包括：

一第三N型晶体管，其漏极端电连接所述第一N型晶体管的源极端，所述第三N型晶体管的栅极端用以接收所述核心电压；

一第四N型晶体管，其漏极端电连接所述第三N型晶体管的源极端，所述第四N型晶体管的源极端电连接一接地端，所述第四N型晶体管的栅极端用以接收所述输入信号；

一第五N型晶体管，其漏极端电连接所述第二N型晶体管的源极端，所述第五N型晶体管的栅极端用以接收所述核心电压；以及

一第六N型晶体管，其漏极端电连接所述第五N型晶体管的源极端，所述第六N型晶体管的源极端电连接所述接地端，所述第六N型晶体管的栅极端用以接收所述输入信号的反相信号。

6.如权利要求5所述的位准移位装置，其特征在于，所述输入单元还包括：

一反相器，其输入端用以接收所述输入信号，所述反相器的输出端电连接所述第六N型晶体管的栅极端。

7.如权利要求5所述的位准移位装置，其特征在于，所述第一与所述第二N型晶体管的栅极氧化层的厚度，大于所述第三至所述第六N型晶体管的栅极氧化层的厚度。

8.如权利要求3所述的位准移位装置，其特征在于，还包括：

一第一电容，其第一端电连接所述第一N型晶体管的栅极端，所述第一电容的第二端电连接一接地端；以及

一第二电容，其第一端电连接所述第二N型晶体管的栅极端，所述第二电容的第二端电连接所述接地端。

9.如权利要求3所述的位准移位装置，其特征在于，还包括：

一第一缓冲器，电连接所述第一N型晶体管的漏极端，用以缓冲所述输出信号的反相信号；以及

一第二缓冲器，电连接所述第二N型晶体管的漏极端，用以缓冲所述输出信号。

10.如权利要求1所述的位准移位装置，其特征在于，所述第一与所述第二偏压电路分别由S个电子元件串接而成，其中所述电子元件可以是二极管、N型晶体管、P型晶体管、NPN双极晶体管或PNP双极晶体管，S为整数且S大于或等于1。

11.如权利要求1所述的位准移位装置，其特征在于，当所述输入信号的位准切换至所述核心电压时，所述输出单元是依据所述导通电流的流通路径而将所述输出信号的位准切换至所述焊垫电压，其中所述焊垫电压大于所述核心电压。