[发明专利]晶片水平芯片级封装及激光标识该封装的方法

说明书

技术领域

本发明涉及在半导体封装的表面上设置识别标识的方法，特别的，本发明涉及晶片水平芯片级封装及激光标识该封装的方法。 

背景技术

产品信息(例如产品型号、管脚1位置和识别标志)一般是通过在芯片级封装(CSP)的平整表面上做标识的方法来提供的。对于使用芯片水平封装技术制造的CSP来说，典型地使用油墨或者激光将这些标识标示在芯片的背面。 

公布号为2004/0188860的美国专利公开了一种使用油墨标识产品信息的例子。芯片级封装包括一个印刷和固化在CSP背面的油墨标识。虽然由于该方法不会对背面造成任何损害而被称为“无破坏性的”，但是，该油墨标识不持久且可能在随后的CSP处理过程中受到损坏，尤其当油墨标识是印刷在光滑的表面上时。 

激光标识方法可以提供耐久的标识，识别标识可以直接形成在背面的硅层上，或者间接的形成在设置在背面的硅层上的一个层次上。专利号为6248973、6261919、6374834、6596965的美国专利中公开了直接标识的例子。专利号为5610104、6023094、6683637的美国专利中公开了间接标识的例子。 

已知的激光标识技术不能很好的适用于具有一个背面金属层(backmetal)的晶片水平CSP，例如功率MOSFET，尤其不适用用于电池保护装置的共漏MOSFET。此类MOSFET背面的直接标识切断了背面金属，对流过背面金属的横向电流具有不利影响，且增加了它的电阻。 

在应用到MOSFET背面的涂层或者薄膜上进行的间接标识不会对芯片的电性能产生不利影响。然而，由于背面的夹层结构(硅/金属/有机薄膜)中各种成分的不同机械性能，导致了在晶片切割过程中产生的微屑。另外，应用涂层或者薄膜增加了晶片水平CSP制造工艺的成本。其他方法需要专用设备，或者为了方便处理而需要较厚的晶片，而不适用于薄晶片。 

鉴于现有技术的局限性，因此，在技术上需要一种激光标识具有背面金属的晶片水平CSP的方法。 

发明内容

本发明激光标识具有背面金属的晶片水平CSP的方法，通过提供一个连续的、未损坏的背面金属层，克服了现有技术的缺点。在对裸露的硅晶片的背面进行激光标识后，再对晶片进行背面金属化，就确保了背面金属层的连续性。 

根据本发明的一个方面，晶片水平CSP包括形成在其背面的激光标识，该激光标识是利用形成在硅晶片背面上的沟槽和形成在覆盖背面的金属层上的相应刻痕(indentation)形成的。 

根据本发明的另外一个方面，激光标识晶片水平CSP的方法包括在晶片的前表面形成若干半导体器件、在晶片的前表面金属化器件触点、研磨晶片的背面、硅蚀刻晶片的后面、硅蚀刻步骤后激光标识晶片的背面、硅蚀刻步骤后氧化蚀刻晶片的背面、氧化蚀刻步骤后在晶片背面沉积金属层、和将晶片切割成晶片水平芯片级封装的步骤。 

为了更好的理解以下对本发明的详细描述、为了更好的理解本发明对于现有技术的贡献，粗略地列出了该发明的重要特征。当然，也将在以下描述到该发明的附加技术特征，该附加技术特征构成了附属权利要求的主题。 

这样，在详细介绍本发明的至少一个实施例之前，应该理解该发明在应用中不局限于以下描述或者附图中的这些功能型元件的细节和组合方式。该发明可以有其他的实施方式，并且可以以各种方式实现和完成。且应该理解，本文所用的专业术语和表达方式，以及摘要，都是为了描述本发明，不要被理解为是对本发明的限制。 

因此，本领域的普通技术人员将明白，该公开所基于的思想可以被作为其他实现本发明目的的方法和系统的基础。因此，权利要求书可以被视为包括该些不违反本发明的精神和范围的等效结构在其范围之内。 

附图说明 

当阅读以下结合附图的详细说明后，对于本领域的普通技术人员来说，本发明的目的和特征将是显而易见的。 

图1是根据本发明经过研磨操作后的晶片背面的示意图。 

图2是根据本发明经过硅蚀刻操作后晶片背面的示意图。 

图3是根据本发明经过激光标识操作后的晶片背面的示意图。 

图4是根据本发明经过背面金属沉积的晶片背面的示意图。 

图5是根据本发明的方法步骤的流程图。 

图6根据本发明展示激光蚀刻晶片背面的部分平面图。 

具体实施方式