[发明专利]半导体制造装置

说明书

本发明专利申请是国际申请号为PCT/JP2004/000932，国际申请日为2004年1月30日，进入中国国家阶段的申请号为200480003504.3，名称为“半导体制造装置”的发明专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及制作布线、接触孔和显示装置的半导体制造装置，尤其涉及利用通过液滴喷射法(喷墨法和液滴喷出法)的抗蚀剂图形的制作方法、通过液滴喷射法(喷墨法和液滴喷出法)的金属布线图形的制作方法、在大气压或在大气压附近进行局部的CVD(化学气相淀积)法和刻蚀处理方法中的任一方法制作布线、接触孔和显示装置的半导体制造装置。另外，涉及成膜或者刻蚀薄膜的半导体制造装置。

背景技术

近年来，对角线超过20英寸的大屏幕电视机引人注目。然而，一般认为以往的CRT(阴极射线管)限制电视机的大型化，近年来实用化的方式中有PDP(Plasma Display Panel，等离子体显示板)和LCD(液晶显示装置)。另外，还提出一种EL(电致发光)显示装置、它是以后有竞争力的显示装置中。特别是LCD方式的电视机，在轻型、节省空间、节省耗电等方面现在非常引人注目。

以LCD(液晶显示装置)或EL(电致发光)显示装置为代表的电光学装置多采用在绝缘表面上利用薄膜形成的薄膜晶体管(TFT)。TFT被广泛应用在集成电路等方面，在很多情况下被用作为开关元件。随着对图像的高清晰度、高开口率、高可靠性、和大型化的要求提高，TFT成为在显示装置中必需的技术。

在TFT的电路图形的制作中，采用将处理装置的内部在低压或真空状态下进行的真空工艺、以及通过曝光装置制作由抗蚀剂(光刻胶)构成的掩模并把不需要部分刻蚀去除的光刻工艺工艺。

真空工艺中，需要把对被处理物进行成膜和刻蚀等处理的处理腔室变为真空或低压用的排气装置。排气装置由设置在处理装置外部的以涡轮分子泵或旋转泵为代表的泵、对它们进行管理和控制的装置、以及连接泵和处理室从而构成排气系统的管道和阀等构成。为了装备这些设备，在处理装置外需要为排气装置用的空间，另外需要为此的成本。再有，由于处理室本身也需要安装排气系统设备，所以处理装置的大小与不安装排气系统相比要增大。

以前使用至今的形成TFT等的电路图形用的光刻工艺，例如形成金属布线用的光刻工艺是按照下面那样进行。首先，在以玻璃为代表的基板上形成金属薄膜。接着在该金属薄膜上旋涂感光性抗蚀剂(光刻胶)，在金属薄膜整个面上形成所述抗蚀剂，进行预烧结。接着隔着形成了目标图形的光掩模进行光照射。这时，由于光掩模上的图形起到作为遮光图形的功能，因此没有被该图形遮光的抗蚀剂感光，可以利用显影液刻蚀去除。接着进行显影和正式烧结，光掩模的图形作为抗蚀剂图形被转印。另外，把形成图形状的所述抗蚀剂作为掩模，通过浸在溶解所述金属薄膜的溶液中，刻蚀去除没有被抗蚀剂图形遮光的金属薄膜。最后，通过剥离该抗蚀剂图形，形成与光掩模所形成的图形相同的金属布线。

发明内容

然而，现有技术中不得已刻蚀去除在基板的整个面上形成的绝大部分覆膜(抗蚀剂膜、金属膜和半导体膜等)，布线等残留在基板上的比例是百分之几～几十左右。在利用旋涂形成抗蚀剂膜时，大约95％的抗蚀剂浪费掉。即，材料的绝大部分被舍弃，不仅影响生产成本，还增大了环境的负担。

随着显示装置的大屏幕化，这种倾向越显著。这是由于随着大屏幕化的进展，流入生产线的玻璃即所谓的基板玻璃大小也必然增大。

基板玻璃大小随着制造商不同而略微不同，例如第四代为730×920mm，第五代为1100×1250mm，作为第六代正在讨论采用1800×2000mm的大小。

另外，如果基板尺寸大型化，则制造装置也必然成为大型设备，需要非常大的建筑面积。特别是，由于成膜工艺是在真空中进行，所以不仅成膜室大型化，而且附属的真空泵等的规模也增大，装置的占据面积非常大。

为了解决上述问题，本发明中应用在基板上直接绘制布线图形或抗蚀剂图形的装置和在大气压或在大气压附近局部地进行薄膜形成和刻蚀等气相工艺的装置。

本发明是半导体制造装置，包括：传送被处理物的装置；进行成膜处理、刻蚀处理或者灰化研磨(ashing)处理的至少一个等离子发生装置；以及把所述等离子发生装置沿与所述被处理物的传送方向交叉的方向移动的装置，特征是，通过组合所述被处理物的传送和所述等离子发生装置的移动，对所述被处理物进行所述成膜处理、所述刻蚀处理或者所述灰化研磨处理。