[发明专利]编程方法及应用该编程方法的存储器装置

说明书

技术领域

本发明是有关于一种编程方法及应用该编程方法的存储器装置，且特别是有关于一种可使阈值电压值更精确的编程方法及应用该编程方法的存储器装置。

背景技术

非易失性存储器的应用广泛，例如手机、数字相机、个人数字助理(PDA)，均为应用非易失性存储器的产品。非易失性存储器包括多种型式，一种常见的非易失性存储器是闪存。

存储器阵列具有多个存储单元。存储单元可用以捕捉(trap)电荷，所补捉的电荷量的多寡将影响各存储单元的阈值电压的状态，来达到储存数据的目的。也就是说，根据存储单元的阈值电压的状态，便能够得知所储存的数据内容。再者，于具有多个存储单元的存储器阵列中，由于各个存储单元的物理特性并不完全相同，因此，即使储存相同的数据，各个存储单元的阈值电压也不会完全一样，故一般是以阈值电压分布(distribution)来表示存储器阵列的状态。

请参照图1，其绘示存储器阵列的阈值电压分布的一例的示意图。于此例中，是假设每个存储单元可储存1个位的数据，则存储单元的状态可为二种阈值电压状态S1及S2之一。由于阈值电压分布将会影响存储单元的读取操作，所以，若各个阈值电压状态所表示的阈值电压值的范围愈宽，则愈可能产生读取错误。因此，如何在对存储单元进行编程的动作时，使存储器阵列的阈值电压分布范围变窄，是业界所致力的方向之一。

发明内容

有鉴于此，本发明是有关于一种编程方法及应用该编程方法的存储器装置，通过执行两次编程的动作，能使存储器阵列的阈值电压分布范围变窄，以提高读取数据时的正确性。

根据本发明的第一方面，提出一种编程方法，应用于一存储器。存储器具有多个存储单元(memory cell)。此方法包括下列步骤。响应于一第一编程指令，以对此多个存储单元的其中之一目标存储单元进行编程。响应于一第二编程指令，以对此目标存储单元进行编程。

根据本发明的第二方面，提出一种存储器装置，包括多个存储单元及一控制电路。控制电路用以响应于一第一编程指令，以对存储单元的其中之一目标存储单元进行编程，且还用以响应于一第二编程指令，以对此目标存储单元进行编程。

为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举一较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。

附图说明

图1绘示存储器阵列的阈值电压分布的一例的示意图。

图2绘示依照本发明的一实施例的编程方法的流程图。

图3A绘示依照本发明的一实施例的存储器装置的示意图。

图3B及图3C绘示为图3A的存储器装置所执行的编程方法的详细流程图。

图4绘示为虚拟接地存储器阵列的架构的一例的示意图。

图5A绘示产生相邻效应前的虚拟接地存储器阵列的阈值电压分布。

图5B绘示产生相邻效应后的虚拟接地存储器阵列的阈值电压分布。

图5C绘示进行第二次编程的动作后的虚拟接地存储器阵列的阈值电压分布。

图6绘示为NAND闪存阵列的架构的一例的示意图。

图7绘示为图6的相邻存储单元于耦合效应下的等效电路图的一例。

【主要元件符号说明】

300：存储器装置

302：存储器阵列

304：控制电路

306：状态缓存器

402：虚拟接地存储器阵列

602：NAND闪存阵列

BL0～BL3：位线

M：存储单元

S210～S220、S301～S316：流程步骤

SL1、SL2：选择线

WL0～WL2：字线

具体实施方式

请参照图2，其绘示依照本发明的一实施例的编程方法的流程图。于本发明所提出的编程方法中，此方法是应用于具有多个存储单元的一存储器。此方法包括下列步骤。于步骤S210中，响应于一第一编程指令，以对此多个存储单元的其中之一目标存储单元进行编程。于步骤S220中，响应于一第二编程指令，以对此目标存储单元进行编程。

下面进一步地说明如何于一存储器装置中执行本发明的编程方法。请参照图3A，其绘示依照本发明的一实施例的存储器装置的示意图。同时，请配合参照图3B及图3C，其绘示为图3A的存储器装置所执行的编程方法的详细流程图。存储器装置300包括一存储器阵列302、一控制电路304及一状态缓存器306。存储器阵列302具有多个存储单元(memory cell)M，各个存储单元M具有其地址。