[发明专利]减少依赖软衬层的用于垂直记录介质的单极尖写磁头设计

权利要求书

1.一种薄膜垂直磁头，包括：

写磁极，其具有上表面和与所述上表面相对的下表面；

非磁性顶间隙，其接触所述写磁极的上表面；

非磁性底间隙，其接触所述写磁极的下表面，所述非磁性顶间隙的厚度等于所述非磁性底间隙的厚度；以及

辅助磁极，其具有顶表面，所述底间隙与所述辅助磁极的顶表面接触。

2.根据权利要求1所述的薄膜垂直磁头，其中所述辅助磁极的高度大于所述非磁性底间隙的厚度的两倍。

3.根据权利要求2所述的薄膜垂直磁头，其中所述辅助磁极的宽度等于所述写磁极的宽度。

4.根据权利要求3所述的薄膜垂直磁头，其中所述辅助磁极具有由所述辅助磁极的所述宽度和所述辅助磁极的所述高度定义的前表面，所述前表面垂直于所述顶表面，所述辅助磁极设置来使得所述前表面平行于所述薄膜垂直磁头的气垫面。

5.根据权利要求4所述的薄膜垂直磁头，其中所述薄膜垂直磁头包括具有喉高的屏蔽，所述辅助磁极的所述顶表面具有等于所述屏蔽的喉高的长度。

6.根据权利要求5所述的薄膜垂直磁头，其中所述辅助磁极具有平行于所述顶表面的底表面，所述底表面与所述顶表面分开所述高度，所述底表面的长度大于所述顶表面的长度。

7.根据权利要求6所述的薄膜垂直磁头，其中所述辅助磁极具有连接所述顶表面和所述底表面的后部表面。

8.根据权利要求7所述的薄膜垂直磁头，其中所述后部表面是平面。

9.根据权利要求7所述的薄膜垂直磁头，其中所述后部表面具有凸形形状。

10.根据权利要求7所述的薄膜垂直磁头，其中所述后部表面具有凹形形状。

11.根据权利要求7所述的薄膜垂直磁头，其中所述后部表面具有阶梯形状。

12.根据权利要求2所述的薄膜垂直磁头，其中所述薄膜垂直磁头包括具有喉高的屏蔽，所述辅助磁极的宽度等于所述屏蔽的喉高。

13.根据权利要求12所述的薄膜垂直磁头，其中所述辅助磁极具有由所述辅助磁极的所述宽度和所述辅助磁极的所述高度定义的前表面，所述前表面垂直于所述顶表面，所述辅助磁极设置来使得所述前表面垂直于所述薄膜垂直磁头的气垫面。

14.根据权利要求13所述的薄膜垂直磁头，其中所述辅助磁极具有平行于所述顶表面的底表面，所述底表面与所述顶表面分开所述高度，所述底表面的长度大于所述顶表面的长度。

15.根据权利要求14所述的薄膜垂直磁头，其中所述辅助磁极具有连接所述顶表面和所述底表面的后部表面。

16.根据权利要求15所述的薄膜垂直磁头，其中所述后部表面是平面。

17.根据权利要求15所述的薄膜垂直磁头，其中所述后部表面具有凸形形状。

18.根据权利要求15所述的薄膜垂直磁头，其中所述后部表面具有凹形形状。

19.根据权利要求15所述的薄膜垂直磁头，其中所述后部表面具有阶梯形状。

20.根据权利要求2所述的薄膜垂直磁头，其中所述辅助磁极具有平行于所述顶表面的底表面，所述底表面与所述顶表面分开所述高度，所述底表面的长度大于所述顶表面的长度，所述辅助磁极具有连接所述顶表面和所述底表面的两个相对的后部表面。

21.根据权利要求20所述的薄膜垂直磁头，其中所述相对的后部表面具有凸形形状。

22.根据权利要求20所述的薄膜垂直磁头，其中所述相对的后部表面具有线性形状。

23.根据权利要求20所述的薄膜垂直磁头，其中所述相对的后部表面具有阶梯形状。

24.根据权利要求20所述的薄膜垂直磁头，其中所述相对的后部表面具有凹形形状。

25.一种薄膜垂直磁头，包括：

写磁极，其具有上表面和与所述上表面相对的下表面；

非磁性顶间隙，其接触所述写磁极的上表面；

非磁性底间隙，其接触所述写磁极的下表面，所述非磁性顶间隙的厚度等于所述非磁性底间隙的厚度；

下返回磁极层和基座，下返回磁极层与基座磁耦接；以及

辅助磁极，其具有顶表面和底表面，所述底表面接触所述基座，所述底间隙接触所述辅助磁极的顶表面，所述辅助磁极位于所述写磁极和所述基座之间。