[发明专利]接合体的形成方法和接合体

权利要求书

1.一种接合体的形成方法，其特征在于，具有如下工序：

在第1基材及第2基材上，分别用化学气相成膜法形成包含铜和有机 成分的、所述铜的含有率按原子比计为80at.％以上且不足90at.％的接合膜 的工序；

以所述接合膜相互对置的方式，在使所述第1基材和第2基材相互接 触的状态下，对所述第1基材和第2基材间赋予压缩力使所述接合膜相互 结合而得到接合体的工序，

在所述得到接合体的工序中，将所述接合膜加热，当赋予所述第1基 材和第2基材间的压缩力的大小为50MPa、赋予所述压缩力的时间为Y 分钟、将所述接合膜加热的温度为T、所述铜的含有率为X、气体常数为 R时，设定成满足1/Y≥1.43×10⁹exp[-6.60×10^-2(100-X)-82×10³/RT] 的关系，所述接合膜加热的温度的单位为K，所述铜的含有率的单位为 at.％，所述气体常数的单位为J/(mol·K)。

2.根据权利要求1所述的接合体的形成方法，其中，在形成所述接 合膜的工序中，以其表面粗糙度Ra为1nm～30nm的方式形成所述接合膜， 所述表面粗糙度Ra是在JIS B0601中规定的粗糙度。

3.根据权利要求1或2所述的接合体的形成方法，其中，在得到所 述接合体的工序中，赋予所述第1基材和第2基材间的压缩力为1MPa～ 100MPa。

4.根据权利要求1所述的接合体的形成方法，其中，在得到所述接 合体的工序中，赋予所述压缩力的时间为5分钟～180分钟。

5.根据权利要求1所述的接合体的形成方法，其中，将所述接合膜 加热的温度为110℃～200℃。

6.根据权利要求1所述的接合体的形成方法，其中，在得到所述接 合体的工序中，所述压缩力的赋予在大气气氛中进行。

7.根据权利要求1所述的接合体的形成方法，其中，所述接合膜通 过使用有机金属材料作为原材料的有机金属化学气相成膜法来形成。

8.根据权利要求7所述的接合体的形成方法，其中，所述有机金属 材料为金属络合物。

9.根据权利要求7或8所述的接合体的形成方法，其中，所述有机 成分是所述有机金属材料中含有的有机物的部分残留物。

10.根据权利要求1所述的接合体的形成方法，其中，所述接合膜的 平均厚度为1nm～1000nm。

11.根据权利要求1所述的接合体的形成方法，其中，所述第1基材 和第2基材分别呈板状。

12.根据权利要求1所述的接合体的形成方法，其中，所述第1基材 和第2基材的至少形成所述接合膜的部分以硅材料、金属材料或玻璃材料 为主要材料来构成。

13.根据权利要求1所述的接合体的形成方法，其中，对所述第1基 材和第2基材的具有所述接合膜的面，事先实施用于提高与所述接合膜的 密合性的表面处理。

14.根据权利要求13所述的接合体的形成方法，其中，所述表面处 理为等离子体处理。

15.根据权利要求1所述的接合体的形成方法，其中，在所述第1基 材和第2基材与设于所述第1基材和第2基材的各所述接合膜之间，分别 插入中间层。

16.根据权利要求15所述的接合体的形成方法，其中，所述中间层 以氧化物类材料为主要材料来构成。

17.一种接合体，其特征在于，用权利要求1～16中任一项所述的接 合体的形成方法来形成。