[发明专利]线缆的制造方法

权利要求书

1.一种线缆的制造方法，包括以下步骤：

提供一真空容器，该真空容器具有一沉积区间，该沉积区间底部和顶部分 别放置至少一个蒸发源，所述蒸发源的材料为待沉积的导电材料；

将一碳纳米管阵列置于所述真空容器中，并从该碳纳米管阵列中拉取获得 一碳纳米膜；

加热所述至少一个蒸发源，沉积至少一层导电材料与所述碳纳米管膜的表 面，不断从所述碳纳米管阵列中拉取所述碳纳米管膜，且使该碳纳米管膜连续 通过所述沉积区间，形成导电材料附着于所述碳纳米管膜表面；

形成一具导电性的碳纳米管线状结构；

形成绝缘材料包覆所述碳纳米管线状结构；

形成屏蔽材料包覆所述绝缘材料；以及

形成保护材料包覆所述屏蔽材料。

2.如权利要求1所述的线缆的制造方法，其特征在于，所述碳纳米管膜包括多 个碳纳米管，相邻的碳纳米管之间有间隙，且该碳纳米管具有自支撑结构。

3.如权利要求1所述的线缆的制备方法，其特征在于，所述碳纳米管膜包括多 个碳纳米管，相邻的碳纳米管之间有间隙，且该碳纳米管平行于所述碳纳米管 膜的表面。

4.如权利要求1所述的线缆的制造方法，其特征在于，所述形成一具导电性的 碳纳米管线状结构的步骤包括对附着有导电材料的碳纳米管膜进行机械处理 的步骤。

5.如权利要求4所述的线缆的制造方法，其特征在于，所述机械处理的步骤包 括：对所述附着有导电材料的碳纳米管膜进行扭转，形成所述具导电性的碳纳 米管线状结构或切割所述附着有导电材料的碳纳米管膜，形成所述具导电性的 碳纳米管线状结构。

6.如权利要求5所述的线缆的制造方法，其特征在于，所述对附着有导电材料 的碳纳米管膜进行扭转，形成所述具导电性的碳纳米管线状结构的步骤具体包 括以下步骤：将上述附着有导电材料的碳纳米管膜一端固定于一旋转电机上； 以及扭转该附着有导电材料的碳纳米管膜，从而形成所述具导电性的碳纳米管 线状结构。

7.如权利要求5所述的线缆的制造方法，其特征在于，所述对附着有导电材料 的碳纳米管膜进行扭转，形成所述具导电性的碳纳米管线状结构的步骤具体包 括以下步骤：提供一个尾部可以粘住所述附着有导电材料的碳纳米管膜的纺纱 轴，将该纺纱轴的尾部与该附着有导电材料的碳纳米管膜的一端结合；以及将 该纺纱轴以旋转的方式扭转该附着有导电材料的碳纳米管膜，形成所述具导电 性的碳纳米管线状结构。

8.如权利要求6或7所述的线缆的制造方法，其特征在于，所述附着有导电材 料的扭转碳纳米管膜的过程包括沿所述碳纳米管膜的拉伸方向扭转该附着有 导电材料的碳纳米管膜的步骤。

9.如权利要求5所述的线缆的制造方法，其特征在于，所述切割附着有导电材料 的碳纳米管膜，形成所述具导电性的碳纳米管线状结构的步骤包括以下步骤：

沿碳纳米管膜的拉伸方向切割所述附着有导电材料的碳纳米管膜，形成所述具 导电性的碳纳米管线状结构。

10.如权利要求1所述的线缆的制造方法，其特征在于，所述形成导电材料附着 于所述碳纳米管膜表面的方法包括以下步骤：

设置所述碳纳米管膜于上下蒸发源中间并间隔一定距离，碳纳米管膜正对上 下蒸发源设置；以及

加热所述蒸发源，使其熔融后蒸发或升华形成导电材料蒸汽，该导电材料蒸 汽遇到冷的碳纳米管膜后，在碳纳米管膜上下表面凝聚，形成导电材料附着 于所述碳纳米管膜表面。

11.如权利要求1所述的线缆的制造方法，其特征在于，所述形成导电材料的过 程包括形成一导电层于所述碳纳米管膜的外表面的步骤。

12.如权利要求11所述的线缆的制造方法，其特征在于，所述导电层的材料为金、 银、铜或上述材料的合金，该导电层的厚度为1~20纳米。