[发明专利]绞线的制备方法有效
| 申请号: | 200910002444.8 | 申请日: | 2009-01-16 |
| 公开(公告)号: | CN101499338A | 公开(公告)日: | 2009-08-05 |
| 发明(设计)人: | 姜开利;刘亮;刘锴;赵清宇;翟永超;范守善 | 申请(专利权)人: | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
| 主分类号: | H01B13/02 | 分类号: | H01B13/02;H01B1/00;H01B5/08;C01B31/02;C23C14/24;C23C14/34 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 100084北京市海淀区清华园1*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 制备 方法 | ||
1.一种绞线的制备方法,包括以下步骤:
提供一碳纳米管结构,所述碳纳米管结构包括一碳纳米管膜,该碳纳米管膜包括多个碳纳米管;
形成导电材料附着于所述碳纳米管结构表面;以及
扭转表面附着有导电材料的碳纳米管结构,形成一绞线。
2.如权利要求1所述的绞线的制备方法,其特征在于,相邻的碳纳米管之间有间隙,且该碳纳米管膜具有自支撑结构。
3.如权利要求1所述的绞线的制备方法,其特征在于,相邻的碳纳米管之间有间隙,且该碳纳米管平行于所述碳纳米管膜的表面。
4.如权利要求1所述的绞线的制备方法,其特征在于,所述形成导电材料的方法包括物理气相沉积法、化学镀及电镀中的一种。
5.如权利要求4所述的绞线的制备方法,其特征在于,所述形成导电材料的方法包括真空蒸镀法或溅射法。
6.如权利要求5所述的绞线的制备方法,其特征在于,所述形成导电材料的方法为真空蒸镀法,其包括以下步骤:
提供一真空容器,该真空容器具有一沉积区间,该沉积区间底部和顶部分别放置至少一个蒸发源,所述蒸发源的材料为待沉积的导电材料;
设置上述碳纳米管结构于上下蒸发源中间并间隔一定距离,碳纳米管结构正对上下蒸发源设置;以及
加热所述蒸发源,使其熔融后蒸发或升华形成导电材料蒸汽,该导电材料蒸汽遇到冷的碳纳米管结构后,在碳纳米管结构上下表面凝聚,形成导电材料附着于所述碳纳米管结构表面。
7.如权利要求6所述的绞线的制备方法,其特征在于,所述形成导电材料的过程包括形成一层导电层于所述碳纳米管结构的外表面的步骤。
8.如权利要求7所述的绞线的制备方法,其特征在于,所述导电层的材料为金、银、铜或其合金,该导电层的厚度为1~20纳米。
9.如权利要求7所述的绞线的制备方法,其特征在于,在所述形成导电层的步骤之前进一步包括形成一层润湿层于所述碳纳米管结构表面的步骤,上述导电层形成在所述润湿层的外表面。
10.如权利要求9所述的绞线的制备方法,其特征在于,在所述形成导电层的步骤之前,形成润湿层的步骤之后进一步包括形成一层过渡层于所述润湿层的外表面,上述导电层形成在所述过渡层的外表面。
11.如权利要求7所述的绞线的制备方法,其特征在于,在所述形成导电层的步骤之后进一步包括形成一层抗氧化层于所述导电层的外表面。
12.如权利要求7所述的绞线的制备方法,其特征在于,在所述形成导电材料于所述碳纳米管结构表面之后,进一步包括在所述碳纳米管结构外表面形成强化层的步骤。
13.如权利要求12所述的绞线的制备方法,其特征在于,所述形成强化层的步骤具体包括以下步骤:将形成有导电材料的碳纳米管结构通过一装有聚合物溶液的装置,使聚合物溶液浸润整个碳纳米管结构,该聚合物溶液通过分子间作用力粘附于所述导电材料的外表面;以及固化聚合物溶液,形成一强化层。
14.如权利要求1所述的绞线的制备方法,其特征在于,所述扭转所述碳纳米管结构,形成一绞线的过程具体包括以下步骤:将上述碳纳米管结构一端固定于一旋转电机上;以及扭转所述碳纳米管结构,形成一绞线。
15.如权利要求1所述的绞线的制备方法,其特征在于,所述扭转所述碳纳米管结构,形成一绞线的过程具体包括以下步骤:提供一个尾部可以粘住碳纳米管结构的纺纱轴,将该纺纱轴的尾部与碳纳米管结构的一端结合;以及将该纺纱轴以旋转的方式扭转该碳纳米管结构,形成一绞线。
16.如权利要求14或15所述的绞线的制备方法,其特征在于,所述碳纳米管结构为直接从一碳纳米管阵列中拉取获得,所述扭转碳纳米管结构的过程包括沿碳纳米管结构的拉伸方向扭转该碳纳米管结构的步骤。
17.如权利要求1所述的绞线的制备方法,其特征在于,进一步包括将所获得的绞线相互平行排列或相互扭转排列,形成一多股绞线的步骤。
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