[发明专利]使用臭氧反应气体形成贵金属层的方法无效
| 申请号： | 200910001299.1 | 申请日： | 2009-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN101565829A | 公开（公告）日： | 2009-10-28 |
| 发明（设计）人： | 吉德信;李起正;金荣大;金珍赫;都官佑;朴京雄;李正烨;金慈容 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | C23C30/00 | 分类号： | C23C30/00;C23C16/455 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘继富;顾晋伟 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 使用 臭氧 反应 气体 形成 贵金属 方法 | ||
1.一种形成贵金属层的方法，包括：
使用臭氧(O3)作为反应气体，
其中所述臭氧的所述浓度水平为20g/m3～100g/m3，
其中形成所述贵金属层包括使用原子层沉积(ALD)方法，所述原子层沉积方法包括重复实施包括供给贵金属源和清洗的单元循环同时连续供给所述臭氧，
其中在150℃～275℃的衬底温度下形成所述贵金属层，
其中所述贵金属层包括钌(Ru)层和铱(Ir)层中之一。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述贵金属层的源包括选自以下物质中的至少一种：Ru(Cp)2、Ru(MeCp)2、Ru(EtCp)2、Ru(tmhd)3、Ru(mhd)3、Ru(od)3、Ir(η3-C3H5)3、Ir9(Cp)(C2H4)2、Ir(COD)(Cp)、Ir(Cp)(MeCp)、Ir(EtCp)(COD)、Ir(EtCp)(CHD)和Ir(EtCp)(C2H4)2。
3.一种形成贵金属层的方法，包括：
在150℃～275℃的衬底温度下，使用浓度水平为50g/m3～300g/m3的臭氧(O3)作为反应气体，
其中形成所述贵金属层包括按照反比例关系控制所述臭氧浓度水平和所述衬底温度，
其中所述贵金属层包括钌(Ru)层和铱(Ir)层中之一。
4.根据权利要求3所述的方法，其中控制所述臭氧浓度水平包括：
响应于臭氧浓度水平和衬底温度中的一个处于足够高而不利地影响形成的所述贵金属层的表面粗糙度的水平，减小所述臭氧浓度水平和所述衬底温度中的另一个至充分低的水平以将形成的所述贵金属层的所述表面粗糙度保持在预定水平。
5.一种形成贵金属层的方法，包括：
使用具有第一浓度水平的臭氧(O3)作为反应气体实施沉积工艺；和
使用具有第二浓度水平的臭氧实施蚀刻工艺，其中所述臭氧的所述第一浓度水平低于所述臭氧的所述第二浓度水平，
其中所述第一浓度水平为20g/m3～100g/m3；和所述第二浓度水平为200g/m3～350g/m3，并且衬底温度为150℃～275℃，
其中所述贵金属层包括钌(Ru)层和铱(Ir)层中之一。
6.根据权利要求5所述的方法，还包括重复实施所述沉积工艺和所述蚀刻工艺直至获得预定厚度的所述贵金属层。
7.根据权利要求5所述的方法，其中在所述蚀刻工艺中，以比在所述沉积工艺中更大流量来供给所述臭氧。
8.根据权利要求5所述的方法，其中在相同的腔室中原位实施所述沉积工艺和所述蚀刻工艺。
9.根据权利要求5所述的方法，其中所述蚀刻工艺包括重复实施(a)以所述第二浓度水平供给所述臭氧以引发蚀刻效果和(b)清洗。
10.根据权利要求5所述的方法，其中在具有高深宽比的图案上实施所述沉积工艺和所述蚀刻工艺。
11.根据权利要求5所述的方法，其中所述贵金属层包括电容器的底部电极、电容器的上部电极、栅电极、位线、金属线和镀铜种层中的至少一种。
12.一种形成贵金属层的方法，包括：
使用臭氧(O3)作为反应气体，
其中所述臭氧的所述浓度水平为20g/m3～100g/m3，
其中形成所述贵金属层包括使用化学气相沉积(CVD)方法，所述CVD方法包括同时供给贵金属源和所述臭氧，
其中所述贵金属层包括钌(Ru)层和铱(Ir)层中之一，
其中在150℃～400℃的衬底温度下形成所述贵金属层。
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