[发明专利]光转换器及其制造方法和发光二极管

权利要求书

1.一种用于发光二极管的光转换器，包括两块基板，其特征在于：两块基板之间有环形的第一空腔壁，所述第一空腔壁与所述两块基板包围形成密闭空间，所述密闭空间内填充有光转换物质；所述两块基板之间还有环形的第二空腔壁，所述第二空腔壁包围所述第一空腔壁。

2.如权利要求1所述的用于发光二极管的光转换器，其特征在于：所述光转换物质内含有纳米量子点。

3.如权利要求1所述的用于发光二极管的光转换器，其特征在于：所述第一空腔壁与一块基板是一体的。

4.如权利要求3所述的用于发光二极管的光转换器，其特征在于：所述第一空腔壁与另一块基板之间设有粘合层。

5.如权利要求4所述的用于发光二极管的光转换器，其特征在于：所述粘合层的材料为所述光转换物质。

6.如权利要求1或5所述的用于发光二极管的光转换器，其特征在于：所述光转换物质为均匀分布纳米量子点的硅胶。

7.如权利要求6所述的用于发光二极管的光转换器，其特征在于：所述硅胶的粘度为5000cp至40000cp。

8.如权利要求1所述的用于发光二极管的光转换器，其特征在于：所述第一空腔壁包括叠合的与一块基板连接的上空腔壁和与另一块基板连接的下空腔壁。

9.如权利要求8所述的用于发光二极管的光转换器，其特征在于：所述上空腔壁与下空腔壁之间设有粘合层。

10.如权利要求1或8所述的用于发光二极管的光转换器，其特征在于：所述第一空腔壁的厚度为40μm至200μm之间。

11.如权利要求1或8所述的用于发光二极管的光转换器，其特征在于：所述第二空腔壁与一块基板之间设有粘合层。

12.如权利要求1或8所述的用于发光二极管的光转换器，其特征在于：所述第一空腔壁为圆环形，所述第二空腔壁为方环形。

13.如权利要求1或8所述的用于发光二极管的光转换器，其特征在于：所述第一空腔壁与所述第二空腔壁之间的间隔小于200μm。

14.如权利要求1或8所述的用于发光二极管的光转换器，其特征在于：所述第一空腔壁与所述第二空腔壁之间的间隔为80μm至100μm。

15.如权利要求1或8所述的用于发光二极管的光转换器，其特征在于：所述第一空腔壁与所述第二空腔壁之间为真空或者填充有稀有气体或氮气。

16.如权利要求1或8所述的用于发光二极管的光转换器，其特征在于：所述第二空腔壁的厚度为40μm至200μm之间。

17.如权利要求1所述的用于发光二极管的光转换器，其特征在于：所述第一空腔壁与两块基板之间均设有粘合层。

18.如权利要求1所述的用于发光二极管的光转换器，其特征在于：形成所述两块基板的材料包括玻璃或者塑料。

19.一种用于发光二极管的光转换器的制造方法，其特征在于，包括步骤：

在第一基板上形成第一空腔壁；

在第一空腔壁围成的空间内填充光转换物质；

在第二基板上形成第二空腔壁；

在所述第二空腔壁远离所述第二基板的一面形成粘合层；

粘合第二空腔壁与所述第一基板设有第一空腔壁的一面，使得第一空腔壁落入第二空腔壁的包围之中，第二基板与所述第一基板压合第一空腔壁来密闭所述光转换物质。

20.如权利要求19所述的用于发光二极管的光转换器的制造方法，其特征在于：所述光转换物质内含有纳米量子点。

21.如权利要求19所述的用于发光二极管的光转换器的制造方法，其特征在于：在第一基板上形成第一空腔壁的方法具体为刻蚀第一基板形成第一空腔壁。

22.如权利要求19所述的用于发光二极管的光转换器的制造方法，其特征在于：在第一基板上形成第一空腔壁的方法具体为将第一空腔壁粘合在第一基板上。