[发明专利]一种高低压转换电路

权利要求书

1.一种高低压转换电路，包括基准电流产生电路、低压产生电路和输出稳压电路；其中，基准电流产生电路为低压产生电路提供基准电流；所述低压产生电路包括为输出稳压电路提供稳定的驱动电压的寄生PNP、补偿电阻和低压MOS管；所述驱动电压通过第一电流镜，在输出稳压电路中通过稳压电容输出稳定的低压；

所述的第一电流镜包括低压产生电路上的第十NMOS管(M210)和输出稳压电路上的第十一NMOS管(M211)；其中，第十NMOS管的栅极与漏极连接在一起，所述基准电流输入其漏极；第十一NMOS管(M211)的漏极接入输入电压，源极与地之间接入所述稳压电容；低压产生电路包括二个低压MOS管，分别为第八MOS管和第九MOS管，二者各自的栅极与漏极连接在一起，第八MOS管与第十NMOS管(M210)的源极和第九MOS管的连接关系保证第八MOS管和第九MOS管的栅源电压处于二者的导通状态；第九MOS管与寄生PNP的发射极之间连接所述补偿电阻，寄生PNP的集电极和基极接地；

所述输出稳压电路和低压产生电路之间增加负载补偿电路；其特征在于：所述负载补偿电路包括第六电流镜，所述第六电流镜包括第十三PMOS管(M213)和第十四PMOS管(M214)，二者的源极均接入输入电压，二者的栅极彼此连接在一起，第十四PMOS管(M214)的栅极与漏极连接在一起；第十三PMOS管(M213)的漏极与第十NMOS管(M210)的栅极电连接，第十四PMOS管(M214)的漏极与一第十二NMOS管(M212)的漏极电连接，所述第十二NMOS管(M212)的栅极与第十NMOS管(M210)的栅极电连接，源极与第十一NMOS管(M211)的源极电连接。

2.根据权利要求1所述的高低压转换电路，其特征在于：所述的基准电流产生电路包括第二、三和四电流镜，其中，第二电流镜包括二个尺寸相同的第一PMOS管(M201)和第二PMOS管(M202)，二者的源极均接入输入电压，栅极彼此连接，第一PMOS管(M201)的栅极与漏极连接在一起；第三电流镜包括第三NMOS管(M203)和第四NMOS管(M204)，二者的漏极分别与第一PMOS管(M201)的漏极和第二PMOS管(M202)的漏极电连接，二者的栅极彼此连接在一起；第四NMOS管(M204)的漏极与栅极连接在一起；第四电流镜包括第五NMOS管(M205)和第六NMOS管(M206)，二者的漏极分别与第三NMOS管(M203)的源极和第四NMOS管(M204)的源极电连接，二者的栅极彼此连接在一起，第六NMOS管(M206)的漏极与栅极连接在一起，第六NMOS管(M206)的源极与地之间串接电阻(R220)；基准电流产生电路通过第五电流镜为低压产生电路提供基准电流，第五电流镜包括所述第一PMOS管(M201)和低压产生电路上的第七PMOS管(M207)，二者的栅极连接在一起，第七PMOS管(M207)的源极接入输入电压，漏极与所述第十NMOS管(M210)的漏极电连接。

3.根据权利要求2所述的高低压转换电路，其特征在于：所述电阻(R220)为负温度系数类型电阻；所述补偿电阻的材料与电阻(R220)的材料相同；所述第十NMOS管(M210)和第十一NMOS管(M211)的尺寸相同。

4.根据权利要求3所述的高低压转换电路，其特征在于：所述第一PMOS管(M201)、第二PMOS管(M202)、第三NMOS管(M203)和第四NMOS管(M204)、第七PMOS管(M207)，以及第十NMOS管(M210)和第十一NMOS管(M211)为高压MOS管；第五NMOS管(M205)和第六NMOS管(M206)为低压MOS管。