[发明专利]带有半导体开关的防短路的半桥电路有效
| 申请号: | 200880131872.4 | 申请日: | 2008-11-05 |
| 公开(公告)号: | CN102204098A | 公开(公告)日: | 2011-09-28 |
| 发明(设计)人: | 马库斯·黑克曼 | 申请(专利权)人: | 奥斯兰姆有限公司 |
| 主分类号: | H03K17/082 | 分类号: | H03K17/082;H03K17/16;H02H7/122 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王萍;李春晖 |
| 地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 带有 半导体 开关 短路 电路 | ||
1.一种电路装置,其带有在第一电势端子和第二电势端子之间串联连接的两个半导体开关、尤其是晶体管(M1,M2),
其特征在于串联连接在两个电势端子之间的电感性元件(L)以及作用链的元件,使得在预先确定的条件下,在电感性元件(L)上降落的电压引起半导体开关中的至少一个(M2)关断、尤其是截止。
2.根据权利要求1所述的电路装置,其特征在于,作用链包括齐纳二极管(D)。
3.根据权利要求2所述的电路装置,其特征在于,齐纳二极管(D)和电阻元件(R2)构成的串联电路设置为与电感性元件(L)并联连接,并且第一辅助晶体管(T1)的两个端子与电阻元件(R2)的两个端子(P3,P4)耦合,使得通过在电阻元件(R2)上降落的电压确定第一辅助晶体管(T2)的接通。
4.根据权利要求1至3之一所述的电路装置,其特征在于,作用链包括时间元件(R4,C2)。
5.根据权利要求4所述的电路装置,权利要求4引用权利要求3,其特征在于,第一辅助晶体管(T1)的两个端子的一个端子(P4)与电势端子(Vcc1)耦合,以及第一辅助晶体管的另一端子通过电容性元件(C2)与另一电势端子(P1)耦合,使得在将电压施加到这些电势端子上并且第一辅助晶体管(T1)接通时,电流流过第一辅助晶体管,该电流将电容性元件(C2)充电,并且其中电容性元件(C2)以其两个端子(P1,P5)与第二辅助晶体管(C2)的两个端子耦合,使得通过在电容性元件(C2)上降落的电压确定第二辅助晶体管(T2)的接通。
6.根据权利要求5所述的电路装置,其特征在于,第二辅助晶体管(T2)的端子(P1)与两个串联连接的半导体开关(M1,M2)的一个晶体管(M2)的端子耦合,使得在辅助晶体管(T2)接通时将两个半导体开关的该晶体管(M2)截止。
7.一种用于保护带有两个半导体开关的串联电路、尤其是带有两个晶体管的半桥电路免受损坏的方法,其特征在于,
截取通过流经半导体开关的电流引起的电压,并且提供在作用链中的元件,使得在至少一个预先确定的条件下所截取的电压通过作用链引起两个半导体开关之一关断,尤其是截止。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于奥斯兰姆有限公司,未经奥斯兰姆有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200880131872.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体结构及其形成方法
- 下一篇:一种像素的结构及其制程方法





