[发明专利]具有在p-型层内钝化的半导体发光器件

权利要求书

1.一种半导体发光器件，该器件包括：

衬底；

位于所述衬底上的第一掺杂半导体层；

位于所述第一掺杂半导体层上的第二掺杂半导体层；

位于所述第一和第二掺杂半导体层之间的多量子阱(MQW)有源层；

与所述第一掺杂半导体层连接的第一电极；

其中部分所述第一掺杂半导体层被钝化，且所述第一掺杂半导体层的钝化部分实质上将所述第一电极与所述第一掺杂半导体层的边缘隔离，从而降低表面复合。

与所述第二掺杂半导体层连接的第二电极；以及

钝化层，其大体上覆盖所述第一和第二掺杂半导体层以及MQW有源层的侧面，以及未被所述第二电极覆盖的所述第二掺杂半导体层的部分水平表面。

2.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于所述衬底包括下列材料中的至少一种：Cu，Cr，Si以及SiC。

3.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于所述钝化层包括下列材料中的至少一种：氧化硅(SiO_x)，氮化硅(SiN_x，)以及氧氮化硅(SiO_xN_y)。

4.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于所述第一掺杂半导体层是p-型掺杂半导体层。

5.根据权利要求4所述的半导体发光器件，其特征在于所述p-型掺杂半导体层的钝化部分未被Pt覆盖，并且由选择性低温退火处理使钝化部分中掺杂剂不被激活而形成。

6.根据权利要求4所述的半导体发光器件，其特征在于所述p-型掺杂半导体层的钝化部分通过选择性钝化法处理，将氢离子引入至钝化部分来形成。

7.根据权利要求1的半导体发光器件，其特征在于所述第二掺杂半导体层是n-型掺杂半导体层。

8.根据权利要求1的半导体发光器件，其特征在于所述MQW有源层包括GaN和InGaN。

9.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于所述钝化层通过下列方法中的至少一种来形成：等离子增强化学汽相沉积(PECVD)，磁控溅射沉积，或电子束(e-束)蒸发。

10.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于所述钝化层的厚度为300～10000埃。

11.一种用于制备半导体发光器件的方法，该方法包括：

在第一衬底上制备多层半导体结构，其中所述多层半导体结构包括第一掺杂半导体层，MQW有源层及第二掺杂半导体层；

在所述第一掺杂半导体层内形成钝化部分，从而实质上隔离所述第一掺杂半导体层的边缘和随后形成的第一电极；

形成与所述第一掺杂半导体层连接的第一电极；

将所述多层结构邦定至第二衬底上；

去除所述第一衬底；

形成与所述第二掺杂半导体层连接的第二电极；以及

形成钝化层，其大体上覆盖第一和第二掺杂半导体层以及MQW有源层的侧面，以及未被所述第二电极覆盖的所述第二掺杂半导体层的部分表面。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于所述衬底包括下列材料中的至少一种：Cu，Cr，Si以及SiC。

13.根据权利要求11所述的方法，其特征在于所述钝化层包括下列材料中的至少一种：氧化硅(SiO_x)，氮化硅(SiN_x，)以及氧氮化硅(SiO_xN_y)。

14.根据权利要求11所述的方法，其特征在于所述第一掺杂半导体层是p-型掺杂半导体层。

15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于在所述p-型掺杂半导体层内形成钝化部分包括在低温退火处理期间通过引入Pt至未钝化部分来选择性激活未钝化部分中的p-型掺杂剂。

16.根据权利要求14所述的方法，其特征在于所述在p-型掺杂半导体层内形成钝化部分包括先激活整个p-型层内的掺杂剂，再通过引入氢离子至钝化部分来选择性钝化一部分p-型层。

17.根据权利要求11所述的方法，其特征在于所述第二掺杂半导体层是n-型掺杂半导体层。