[发明专利]一种制备具有金属衬底的InGaAlN发光二极管的方法

权利要求书

1.一种用于制备发光二极管的方法，该方法包括：

在生长衬底上刻蚀凹槽，从而在所述生长衬底上形成台面；

在所述每个台面上制备铟镓铝氮(InGaAlN)多层结构，其中该结构包括p-型层、多量子阱层、以及n-型层；

在所述InGaAlN多层结构上沉积一层或多层金属衬底层；

剥离所述生长衬底；以及

在所述InGaAlN多层结构的两侧形成电极，从而形成垂直电极结构。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于制备所述InGaAlN多层结构包括应用金属有机化学汽相沉积。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于沉积所述一层或多层金属衬底层还包括：

制备欧姆接触层；

对具有欧姆接触层的所述InGaAlN多层结构进行退火；以及

形成腐蚀保护层。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于所述欧姆接触层包括基于铂-金、铂-铑、镍-金氧化物或铟-锡氧化物的合金。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于所述欧姆接触层包括基于镍-金氧化物、铟-锡氧化物或镍-金氧化物与铟-锡氧化物组合的透明材料。

6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于所述腐蚀保护层包括金、铂、钯、铑或不锈钢。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述金属衬底层由适合选择性刻蚀的不同材料组成。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于所述金属衬底层包括夹于两个铜层之间的银层。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于剥离所述生长衬底包括化学刻蚀。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于该方法进一步包括粗化n-型层的表面。

11.一种发光二极管，该发光二极管包括：

InGaAlN多层结构，该结构包括p-型层，多量子阱层以及n-型层；

邻接所述n-型层沉积的第一电极；

邻接所述p-型层沉积的第二电极；

邻接所述p-型层沉积的一层或多层金属衬底层；以及

钝化层；

其中第一和第二电极形成垂直电极结构。

12.根据权利要求11的发光二极管，其特征在于该发光二极管进一步包括：

邻接p-型层的欧姆接触层；以及

腐蚀保护层，其在剥离生长衬底的湿法刻蚀过程中保护金属衬底层。

13.根据权利要求12的发光二极管，其特征在于所述欧姆接触层包括基于铂-金、铂-铑、镍-金氧化物或铟-锡氧化物的合金。

14.根据权利要求12的发光二极管，其特征在于所述欧姆接触层包括基于镍-金氧化物、铟-锡氧化物或镍-金氧化物和铟-锡氧化物的组合的透明材料。

15.根据权利要求12的发光二极管，其特征在于所述腐蚀保护层包括金、铂、钯、铑或不锈钢。

16.根据权利要求11的发光二极管，其特征在于所述金属衬底层由适合选择性刻蚀的不同材料组成。

17.根据权利要求16的发光二极管，其特征在于所述金属衬底层包括夹于两个铜层之间的银层。

18.根据权利要求17的发光二极管，其特征在于该发光二极管还包括粗化n-型层的表面。