[发明专利]光电阴极有效
| 申请号： | 200880129779.X | 申请日： | 2008-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN102067264A | 公开（公告）日： | 2011-05-18 |
| 发明（设计）人： | 松井利和;浜名康全;中村公嗣;石上喜浩;小栗大二郎 | 申请（专利权）人： | 浜松光子学株式会社 |
| 主分类号： | H01J1/34 | 分类号： | H01J1/34;H01J40/06 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光电 阴极 | ||
1.一种光电阴极，其特征在于，
具备光电子射出层，该光电子射出层含有Sb和Bi并根据光的入射而向外部射出光电子，
在所述光电子射出层中含有相对于Sb以及Bi为32mol％以下的Bi。
2.如权利要求1所述的光电阴极，其特征在于，
在所述光电子射出层中含有相对于Sb以及Bi为29mol％以下的Bi。
3.如权利要求1所述的光电阴极，其特征在于，
在所述光电子射出层中含有相对于Sb以及Bi为16.7mol％以下的Bi。
4.如权利要求1所述的光电阴极，其特征在于，
在所述光电子射出层中含有相对于Sb以及Bi为6.9mol％以下的Bi。
5.如权利要求1～4中任意一项所述的光电阴极，其特征在于，
在所述光电子射出层中含有相对于Sb以及Bi为0.4mol％以上的Bi。
6.如权利要求1～3中任意一项所述的光电阴极，其特征在于，
在所述光电子射出层中含有相对于Sb以及Bi为8.8mol％以上的Bi。
7.如权利要求1所述的光电阴极，其特征在于，
-100℃下的线性度比25℃下的线性度的0.1倍更高。
8.如权利要求2所述的光电阴极，其特征在于，
在波长320～440nm中的峰值处显示出20％以上的量子效率。
9.如权利要求4所述的光电阴极，其特征在于，
在波长300～430nm中的峰值处显示出35％以上的量子效率。
10.如权利要求1～9中任意一项所述的光电阴极，其特征在于，
在所述光电子射出层的光的入射侧还具备由HfO2形成的中间层。
11.如权利要求1～10中任意一项所述的光电阴极，其特征在于，
在所述光电子射出层的光的入射侧还具备由MgO形成的基底层。
12.如权利要求1～11中任意一项所述的光电阴极，其特征在于，
所述光电子射出层是通过在SbBi的合金薄膜上使钾金属蒸气和铯金属蒸气进行反应而形成的。
13.如权利要求1～11中任意一项所述的光电阴极，其特征在于，
所述光电子射出层是通过在SbBi的合金薄膜上使钾金属蒸气及铷金属蒸气与铯金属蒸气进行反应而形成的。
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