[发明专利]三维半导体装置﹑其制造方法及利用其保险丝图样的电力切断方法

权利要求书

1.一种三维半导体装置，其特征在于，其包括：

    一主体，堆栈多个半导体芯片或封装于其中；

    一保护基板，设置以保护所述主体的一外层芯片或封装且设置以传送一激光束；以及

    一保险丝图样部，具有一保险丝功能的一图样，是构成当至少一所述芯片或封装有缺陷时，通过所述激光束穿透所述保护基板来切断所述缺陷芯片或封装的一电力连结。

2.如权利要求1所述的三维半导体装置，其特征在于，所述保险丝图样部包括：

    一第一保险丝图样部，具有一与用于所述芯片或封装的运作和数据传输的电源﹑接地﹑及数据线电力连结的图样；以及

    一第二保险丝图样部，具有一与在所述第一保险丝图样部中的所述各芯片或封装的铅板电力连结的图样。

3. 如权利要求1所述的三维半导体装置，其特征在于，所述保险丝图样部成形于所述主体的一外层芯片或封装的一上部。

4.如权利要求1所述的三维半导体装置，其特征在于，所述保险丝图样部成形于所述保护基板。

5.如权利要求1所述的三维半导体装置，其特征在于，所述保险丝图样部的所述图样是透过一成形在所述主体的一上部的金属电极来电力连结至所述芯片或封装。

6.如权利要求1所述的三维半导体装置，其特征在于，所述保险丝图样部的所述图样是由一含铬(Cr)和铜(Cu)的导电材料所构成。

7. 如权利要求1所述的三维半导体装置，其特征在于，所述保险丝图样部的所述图样是由一含钛(Ti)和铜(Cu)的导电材料所构成。

8.如权利要求1所述的三维半导体装置，其特征在于，所述保险丝图样部的所述图样是由一含铬(Cr)﹑铜(Cu)和镍(Ni)的导电材料所构成。

9.如权利要求1所述的三维半导体装置，其特征在于，所述保险丝图样部的所述图样是由一含钛(Ti)﹑铜(Cu)和镍(Ni)的导电材料所构成。

10.如权利要求3所述的三维半导体装置，其特征在于，通过一聚酰亚胺或高分子系的一高聚合化合物将所述保护基板连接于所述主体。

11. 如权利要求4所述的三维半导体装置，其特征在于，通过一金属凸块将所述保护基板连接于主体。

12.一种制造一三维半导体装置的方法，其特征在于，其包括：

    (a) 堆栈多个半导体芯片或封装，并形成一主体让所述各芯片或封装电力连结至穿孔；

    (b) 在所述主体的一上部堆栈并形成一与所述穿孔电力连结的金属电极；

    (c) 形成一保险丝图样部，其具有一保险丝功能的一图样，用以当至少一所述芯片或封装有缺陷时切断所述缺陷芯片或封装的一电力连结；以及

    (d) 形成一外层保护基板，是设置以在所述保险丝图样部的一上部传送一激光束。

13. 要求12所述的方法，其特征在于，所述的步骤(c)包括：

    (c1) 形成一与用于所述芯片或封装的运作和数据传输的电源﹑接地﹑及数据线电力连结的的第一保险丝图样部；以及

    (c2) 形成一与在所述第一保险丝图样部中的所述各芯片或封装的铅板电力连结的第二保险丝图样部。

14.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述的步骤(c)包括：

将所述保险丝图样部形成和所述保护基板的一最低层合为一体，或将所述保险丝图样部形成于所述金属电极的一上部。

15.一种使用一三维半导体装置的保险丝图样的电力切断方法，其特征在于，其包括：

    检查所述三维半导体装置的各芯片或封装的电力连结和运作；

    在发现至少一所述芯片或封装有缺陷时，发射一激光束到一与所述对应缺陷芯片或封装电力连结的电源﹑接地和数据线的保险丝图样；以及

    通过启动所述激光束来电力切断所述对应缺陷电源﹑接地和数据线的所述保险丝图样进而停止所述对应缺陷芯片或封装的运作。