[发明专利]用于高动态范围图像传感器感测阵列的系统和方法有效
| 申请号: | 200880128376.3 | 申请日: | 2008-02-25 |
| 公开(公告)号: | CN101981694A | 公开(公告)日: | 2011-02-23 |
| 发明(设计)人: | S·达维多维奇 | 申请(专利权)人: | RJS科技公司 |
| 主分类号: | H01L27/00 | 分类号: | H01L27/00 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 李玲 |
| 地址: | 美国新罕*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 动态 范围 图像传感器 阵列 系统 方法 | ||
1.一种图像传感器阵列,包括:
至少两个通信的异类图像传感器,每个图像传感器对电磁辐射敏感并被用于感测来自外部场景的电磁辐射,并且根据这种感测创建外部场景的电子表示。
2.如权利要求1所述的图像传感器阵列,其中所述图像传感器阵列对下述至少一项敏感:人眼的电磁辐射频率范围、低于人眼的电磁范围的电磁频率、以及高于人眼的电磁范围的电磁频率。
3.如权利要求1所述的图像传感器阵列,其中所述图像传感器包括能够响应输入电磁辐射激励产生高动态范围输出的图像传感器。
4.如权利要求1所述的图像传感器阵列,其中所述图像传感器阵列包括不能响应输入电磁辐射激励产生高动态范围输出的图像传感器。
5.如权利要求1所述的图像传感器阵列,其中至少一个异类图像传感器能够响应输入电磁辐射激励产生高动态范围输出,并且所述异类图像传感器中的至少一个不能响应输入电磁辐射激励产生高动态范围输出,并且其中通信的异类图像传感器具有在图像捕捉处理过程中交换信息的装置。
6.一种包括多个单独的图像传感器的图像传感器阵列,每个图像传感器对电磁辐射敏感并被用于感测来自外部场景的电磁辐射,并且根据这种感测创建外部场景的电子表示,该图像传感器阵列的改进在于,其中所述图像传感器阵列具有被组织成图像传感器子阵列的多种单独的图像传感器。
7.如权利要求6所述的图像传感器阵列,其中图像传感器子阵列包括两个或更多个单独的图像传感器。
8.如权利要求6所述的图像传感器阵列,其中所述图像传感器子阵列包括两个或更多个单独的图像传感器,在两个或更多个单独的图像传感器中,至少一个所述单独的图像传感器选自这样的组,该组包括能够响应输入电磁辐射激励产生高动态范围输出的图像传感器、以及不能响应输入电磁辐射激励产生高动态范围输出的图像传感器。
9.如权利要求6所述的图像传感器阵列,其中所述图像传感器子阵列包括两个或更多个单独的图像传感器,在两个或更多个单独的图像传感器中,至少两个所述单独的图像传感器可以交换信息。
10.一种能够响应外部电磁辐射激励产生高动态范围输出的图像传感器,该图像传感器具有信号总线,所述信号总线外部延伸到所述图像传感器并且连接到另一个图像传感器。
11.如权利要求10所述的图像传感器,其中所述信号总线包括一个或多个信号。
12.如权利要求10所述的图像传感器,其中所述信号总线连接到一个或多个其它图像传感器。
13.如权利要求10所述的图像传感器,其中所述信号总线传播描述所述图像传感器对外部电磁辐射激励的响应的状态的信息。
14.如权利要求10所述的图像传感器,其中所述信号总线包含使连接到所述信号总线的图像传感器响应所述信号的状态而发生状态改变的信号。
15.如权利要求10所述的图像传感器,其中所述信号总线包含描述所述图像传感器对外部电磁辐射激励的响应的状态的足够信息,以便得出反射或源自组成所述传感器的外部激励的电磁辐射的图像的电子表示。
16.一种不能响应外部电磁辐射激励产生高动态范围输出的图像传感器,并且该图像传感器具有信号总线,所述信号总线外部延伸到所述图像传感器并且连接到另一个图像传感器。
17.如权利要求16所述的图像传感器,其中所述信号总线包括一个或多个信号。
18.如权利要求16所述的图像传感器,其中所述信号总线连接到一个或多个其它图像传感器。
19.如权利要求16所述的图像传感器,其中所述信号总线传播使所述图像传感器响应所述信号的状态而发生状态改变的信号。
20.如权利要求16所述的图像传感器,其中所述信号总线传播描述所述图像传感器对外部电磁辐射激励的响应的状态的足够信息,以便当与从至少一个其它所述图像传感器产生的信息组合时,得出反射或源自组成所述传感器的外部激励的电磁辐射的图像的电子表示。
21.一种能够响应输入电磁辐射激励产生高动态范围输出的图像传感器,该图像传感器具有存储事件发生次数的内部装置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





